[发明专利]基板处理装置和方法

权利要求书

1.基板处理装置，包括：

基板支承部，支承基板，并且能够通过静电力固定所述基板；

等离子体生成部，生成用于使所述基板的电荷放电的放电用等离子体；以及

电力供应部，向所述基板支承部和所述等离子体生成部供应电力，

其中，所述电力供应部在通过向所述等离子体生成部供应电力而使所述基板的电荷放电时向所述等离子体生成部供应具有波动图案的电力。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述电力供应部包括：

第一电力供应部，向所述基板支承部供应直流电力；以及

第二电力供应部，向所述等离子体生成部供应RF电力。

3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，

所述第一电力供应部在使所述基板的电荷放电时施加比用于对所述基板的工艺处理的直流电压小的第一放电直流电压，以及

在施加所述第一放电直流电压之后施加比所述第一放电直流电压小的第二放电直流电压。

4.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，

所述第二电力供应部在使所述基板的电荷放电时供应比用于对所述基板的工艺处理的RF电力小的第一放电RF电力，

在供应所述第一放电RF电力之后供应比所述第一放电RF电力大的第二放电RF电力，以及

在供应所述第二放电RF电力之后供应比所述第一放电RF电力小的第三放电RF电力。

5.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，由所述第一电力供应部和所述第二电力供应部供应的电力图案包括：

工艺处理区间，在所述工艺处理区间，执行对所述基板的工艺处理；

放电开始区间，在所述放电开始区间，完成针对所述基板的工艺并且所述基板开始放电；

无序度提升区间，在所述无序度提升区间，使残留在所述基板上的电荷的无序度提升；以及

放电结束区间，在所述无序度提升区间，使残留在所述基板上的电荷持续放电。

6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，所述第一电力供应部在所述放电开始区间供应比所述工艺处理区间小的电力，以及

在所述无序度提升区间和所述放电结束区间供应比所述放电开始区间小的电力。

7.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，所述第二电力供应部在所述放电开始区间供应比所述工艺处理区间小的电力，

在所述无序度提升区间供应比所述工艺处理区间小并且比所述放电开始区间大的电力，以及

在所述放电结束区间供应比所述放电开始区间和所述无序度提升区间小的电力。

8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中：

所述放电用等离子体与用于所述基板的工艺的工艺气体被激发而形成的工艺用等离子体相同。

9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其中，所述放电用等离子体在通过所述工艺用等离子体完成针对所述基板的工艺之后生成。

10.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述电力供应部通过使所述放电用等离子体作用于所述基板的电荷强度改变，从而提升存在于所述基板上的电荷的无序度。

11.基板处理方法，包括：

针对通过静电力固定在基板支承部上的基板执行工艺的步骤；以及

利用等离子体生成部生成放电用等离子体，以去除残留在所述基板上的电荷的步骤，

其中，通过向所述等离子体生成部供应具有波动图案的电力来生成所述放电用等离子体。

12.根据权利要求11所述的基板处理方法，其中，向所述基板支承部施加直流电压的第一电力供应部在使所述基板的电荷放电时施加比用于对所述基板的工艺处理的直流电压小的第一放电直流电压，以及

在施加所述第一放电直流电压之后施加比所述第一放电直流电压小的第二放电直流电压。