[发明专利]用于处理基板的装置和方法

说明书

本申请涉及一种用于处理基板的装置和方法。所述装置包括：腔室，所述腔室中具有处理空间；支承单元，其在所述处理空间中支承所述基板；气体供应单元，其将用于处理所述基板的工艺气体供应到所述处理空间中；等离子体源，其通过激发供应到所述处理空间中的所述工艺气体来产生等离子体；加热器，其加热用于所述基板的不同区域的所述支承单元；加热器电源，其将功率施用到所述加热器；多条加热器电缆，其将所述功率输送到所述加热器；以及配置为接地的可变电容器，所述配置为接地的可变电容器分别连接到所述多条加热器电缆。

相关申请的交叉引用

本申请请求于2019年7月3日递交韩国知识产权局的第10-2019-0080332号韩国专利申请的在35U.S.C.§119下的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本文中描述的本发明构思的实施方案涉及一种用于处理基板的装置和方法，更具体地，涉及一种包括可变电容器的基板处理装置，该可变电容器配置为接地并连接至电缆。

背景技术

为了制造半导体元件，通过执行诸如光刻、蚀刻、灰化、离子注入、薄膜沉积和清洁等的各种工艺，而在基板上形成所需图案。在这些工艺中，蚀刻工艺是去除形成在基板上的膜的选定区域的工艺。蚀刻工艺分为湿法蚀刻工艺和干法蚀刻工艺。使用等离子体的蚀刻装置用于干法蚀刻工艺。通常，为了产生等离子体，在腔室的内部空间中形成电磁场。电磁场将腔室中的工艺气体激发成等离子体。等离子体是指含有离子、电子和基团(radical)的物质的离子化气态(ionized gaseous state)。该等离子体由非常高的温度、强电场或射频(RF)电磁场产生。半导体元件制造工艺使用等离子体来执行蚀刻工艺。通过等离子体中含有的离子颗粒与基板的碰撞，执行蚀刻工艺。

可以在基板处理装置中执行热处理工艺。当基板放置在加热板上时，相应的基板通过设置在加热板中的加热构件而经受热处理。加热构件可以设置在用于加热基板的不同区域的多个加热区中。加热构件可以通过电缆与电源连接。

根据连接加热构件和电源的电缆的接地状态或浮置(floating)状态，可能会出现诸如蚀刻速率和等离子体电压趋势的管理问题，并且可能会改变诸如CD偏差的工艺结果。因此，需要能够控制电缆的接地或浮置状态的基板处理装置。

发明内容

本发明构思的实施方案提供了一种基板处理装置，该基板处理装置用于通过使用配置为接地的可变电容器来在期望的方向上改进并控制等离子体电压，该配置为接地的可变电容器连接至电缆的端部。

本发明构思所要解决的技术问题不限于上述问题。本发明构思所属领域的技术人员将从以下描述中清楚地理解本文中没有提及的任何其他技术问题。

根据示例性实施方案，一种用于处理基板的装置包括：腔室，在所述腔室中具有处理空间；支承单元，其在所述处理空间中支承所述基板；气体供应单元，其将用于处理所述基板的工艺气体供应到所述处理空间中；等离子体源，其通过激发供应到所述处理空间中的所述工艺气体来产生等离子体；加热器，其加热用于所述基板的不同区域的所述支承单元；加热器电源，其将功率施用到所述加热器；多条加热器电缆，其将所述功率输送到所述加热器；以及配置为接地的可变电容器，所述配置为接地的可变电容器分别连接到所述多条加热器电缆。

所述装置还可以包括滤波器，所述滤波器使所述功率通过所述多条加热器电缆，并且中断(interrupt)将RF功率引入到加热器电源中，并且所述多条加热器电缆可以连接在所述滤波器和所述加热器之间。

所述配置为接地的可变电容器可以连接到所述滤波器的输入端子(inputterminal)。

所述滤波器可以包括多个端子，并且所述配置为接地的可变电容器可以连接到所述多个端子中的接地端子(ground terminal)。

所述配置为接地的可变电容器可以在接地状态或浮置状态之一中操作。