[发明专利]具有表面保护层的半导体元件及其制造方法在审
| 申请号: | 202010633624.2 | 申请日: | 2020-07-02 |
| 公开(公告)号: | CN113889842A | 公开(公告)日: | 2022-01-04 |
| 发明(设计)人: | 吴侑伦 | 申请(专利权)人: | 华星光通科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01S5/028 | 分类号: | H01S5/028 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 表面 保护层 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
本发明公开一种具有表面保护层的半导体元件及其制造方法,其中该具有表面保护层的半导体元件包括一半导体元件以及一表面保护层。该半导体元件具有金属焊垫,该半导体元件是形成于一半导体基板之上。表面保护层是形成于该半导体元件之上并且露出该金属焊垫。本发明的表面保护层可以防止半导体元件在后续制作工艺中会发生表面刮伤、压伤与污染所造成的半导体元件损坏。
技术领域
本发明涉及一种半导体元件,特别是涉及一种具有表面保护层的半导体元件及其制造方法。
背景技术
半导体元件表面于金属化制作工艺后在后续的各制作工艺站的生产过程中易发生刮伤、压伤与污染等问题,如此使得目视检测上外观所产生的不良率增加。
此外,激光二极管在进行镜面镀膜(Facet coating)制作工艺时若取消spacerbar会发生低温共晶问题造成激光二极管bar互黏,不易卸bar且易发生断bar情形。
发明内容
本发明的目的是提供一种具有表面保护层的半导体元件及其制造方法,所具有的表面保护层是作为预防后续制作工艺中会发生表面刮伤、压伤与污染的防止半导体元件损坏的保护层。
本发明为达成上述目的提供一种具有表面保护层的半导体元件,包括一半导体元件以及一表面保护层。该半导体元件具有金属焊垫,该半导体元件是形成于一半导体基板之上。表面保护层是形成于该半导体元件之上并且露出金属焊垫。
本发明为达成上述目的更提供一种具有表面保护层的半导体元件的制造方法,包括以下步骤,首先,提供一半导体外延片。其次,在该半导体外延片上形成连续脊状结构。其次,在该半导体外延片上形成介电质绝缘层。其次,在该半导体外延片上形成一半导体元件,该半导体元件具有金属焊垫。最后,在该半导体元件上形成一表面保护层,并且露出金属焊垫。
与现有的半导体元件及其制造方法比较,本发明具有以下优点:
1.本发明的表面保护层可以防止半导体元件在后续制作工艺中会发生表面刮伤、压伤与污染所造成的半导体元件损坏。
2.表面保护层可以阻隔激光二极管的正面与背面金属,减少金属接触面积防止低温共晶产生。
附图说明
图1为本发明的具有表面保护层的半导体元件的示意图;
图2至图3为本发明的具有表面保护层的半导体元件的制造方法的示意图;
图4为本发明的具有表面保护层的半导体元件的制造方法的流程图。
符号说明
100:半导体外延片
10:半导体元件
12:金属焊垫
14:表面保护层
20:半导体基板
S10~S50:步骤
具体实施方式
本发明的具有表面保护层的半导体元件及其制造方法所具有的表面保护层是作为预防后续制作工艺中会发生表面刮伤、压伤与污染的防止半导体元件损坏的保护层。
图1为本发明的具有表面保护层的半导体元件的示意图,如图1所示,一半导体元件10,具有一金属焊垫12以及一表面保护层14。半导体元件10是形成于一半导体基板20之上,半导体基板20可以是硅、锗或III-V族半导体,包括GaAs砷化镓或GaN氮化镓或InP磷化铟。半导体元件10可以是激光二极管、光二极管或发光二极管。激光二极管包括边射型激光二极管、面射型激光二极管、直调激光二极管或高功率激光二极管。金属焊垫(bondingpad)12是作为半导体元件10进行封装打线时电性连接的位置。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华星光通科技股份有限公司,未经华星光通科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010633624.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:影像分割方法以及电子装置
- 下一篇:热泵式衣物烘干设备的故障检测方法





