[发明专利]具有表面保护层的半导体元件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010633624.2 | 申请日： | 2020-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN113889842A | 公开（公告）日： | 2022-01-04 |
| 发明（设计）人： | 吴侑伦 | 申请（专利权）人： | 华星光通科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/028 | 分类号： | H01S5/028 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 表面 保护层 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
1.一种具有表面保护层的半导体元件，其特征在于，包括：
半导体元件，具有金属焊垫，该半导体元件是形成于半导体基板之上；以及
表面保护层，形成于该半导体元件之上并且露出该金属焊垫。
2.如权利要求1所述的具有表面保护层的半导体元件，其中，该半导体元件是激光二极管、光二极管或发光二极管。
3.如权利要求2所述的具有表面保护层的半导体元件，其中，该激光二极管是边射型激光二极管、面射型激光二极管、直调激光二极管或高功率激光二极管。
4.如权利要求1所述的具有表面保护层的半导体元件，其中，该表面保护层是作为预防后续制作工艺中会发生表面刮伤、压伤与污染的防止半导体元件损坏的保护层。
5.如权利要求1所述的具有表面保护层的半导体元件，其中，该表面保护层是二氧化硅、氮化铝或氮化硅的介电层，通过蒸镀方式沉积于该半导体元件上。
6.如权利要求1所述的具有表面保护层的半导体元件，其中，该表面保护层露出该金属焊垫的方法是是在表面保护层形成后再使用一道黄光光刻制作工艺。
7.一种具有表面保护层的半导体元件的制造方法，包括以下步骤：
提供半导体外延片；
在该半导体外延片上形成半导体元件，该半导体元件具有金属焊垫；以及
在该半导体元件上形成表面保护层，并且露出该金属焊垫。
8.如权利要求7所述的具有表面保护层的半导体元件的制造方法，其中，该半导体元件是激光二极管、光二极管或发光二极管。
9.如权利要求8所述的具有表面保护层的半导体元件的制造方法，其中，该激光二极管是边射型激光二极管、面射型激光二极管、直调激光二极管或高功率激光二极管。
10.如权利要求7所述的具有表面保护层的半导体元件的制造方法，其中，该表面保护层是作为预防后续制作工艺中会发生表面刮伤、压伤与污染的防止半导体元件损坏的保护层。
11.如权利要求7所述的具有表面保护层的半导体元件的制造方法，其中，该表面保护层是二氧化硅、氮化铝或氮化硅的介电层，通过蒸镀方式沉积于该半导体元件上。
12.如权利要求7所述的具有表面保护层的半导体元件的制造方法，其中，该表面保护层露出该金属焊垫的方法是在表面保护层形成后再使用一道黄光光刻制作工艺。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华星光通科技股份有限公司，未经华星光通科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010633624.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：影像分割方法以及电子装置
- 下一篇：热泵式衣物烘干设备的故障检测方法
