[发明专利]贴片式分立器件用超细硅微粉及其制备方法

说明书

本发明是一种贴片式分立器件用超细硅微粉的制备方法，该超细硅微粉用于贴片式分立器件用填料，其制法步骤如下：选取SiO₂含量≥99.0％的高纯结晶石英砂为原料；原料经磁选后给料进入滚筒式球磨设备进行研磨,研磨后物料再经过气流分级机进行分级，得到D50＝1.5‑3.5μm、D90＝5‑8μm，D₁₀₀＝11‑16μm的超细硅微粉，用于贴片式分立器件硅微粉填料。本发明方法可以制备得到特定粒度分布、颗粒形貌规则、纯度高的硅微粉产品，该产品粒度分布合理，产品黏度低，增加了环氧塑料的流动性，并改善了溢料特性。在贴片式分立器件封装中与芯片的浸润性更好，有效解决了因分层导致的电性问题。

技术领域

本发明涉及一种无机非金属材料深加工技术领域，特别涉及贴片式分立器件用超细填料的制备方法。

背景技术

目前，中国的半导体分立器件产业已经在国际市场占有举足轻重的地位并保持着持续、快速、稳定的发展。随着电子整机、消费类电子产品等市场的持续升温，半导体分立器件仍有很大的发展空间，分立器件封装技术的发展趋势仍以SMT贴片式分立器件为发展方向，往小型化方向发展，以适应各种电子设备小型化、轻量化、薄型化的需要。由常用的SOT-23、SOD-123型向尺寸更小的，如SOT-123/923、SOD-723/923等封装型式发展。

新型SMT贴片式分立器件在汽车电子、节能照明等热点领域应用，对应用于分立器件封装形式的电子级硅微粉填料也提出来新的要求，目前市场上提供的硅微粉填料粒度分布宽，颗粒度大，主要用于大本体封装型式，随着分立器件封装技术往小型化、轻量化、薄型化发展，在使用过程中需要进一步减少粒度来配合改善相应塑封料的流动性和溢料特性，急需一种可提高塑封料的流动性和溢料表现的超细硅微粉，目前国内间歇式球磨机生产超细粉效率低，成品率低，粒度分布宽，不能满足市场需要。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术的不足，提供一种适用于贴片式分立器件用超细硅微粉及其制备方法，制得的产品粒度分布合理，产品黏度低，增加了环氧塑料的流动性，并改善了溢料特性。

本发明所要解决的技术问题是通过以下的技术方案来实现的，本发明是一种贴片式分立器件用超细硅微粉的制备方法，其特点是，该超细硅微粉用于贴片式分立器件用填料，其制法步骤如下：

(1)选取SiO₂含量≥99.0％的高纯结晶石英砂为原料；

(2)原料经磁选后给料进入滚筒式球磨设备进行研磨,研磨后物料再经过气流分级机进行分级，得到D50＝1.5-3.5μm、D90＝5-8μm，D₁₀₀＝11-16μm的超细硅微粉，用于贴片式分立器件硅微粉填料。

本发明所述的贴片式分立器件用超细填料硅微粉的制备方法，其进一步优选的技术特征是：原料高纯结晶石英砂的粒度为10-30目，磁性物含量≤10.0ppm，电导率Ec≤4μs/cm。

本发明所述的贴片式分立器件用超细填料硅微粉的制备方法，其进一步优选的技术特征是：原料高纯结晶石英砂的粒度为16-26目，Ec≤2μs/cm。

本发明所述的贴片式分立器件用超细填料硅微粉的制备方法，其进一步优选的技术特征是：原料高纯结晶石英砂的化学组成为：SiO₂≥99.0％，Al₂O₃≤0.8％，Fe₂O₃≤0.03％，Na⁺≤5ppm，Cl^-≤10ppm。

本发明所述的贴片式分立器件用超细填料硅微粉的制备方法，其进一步优选的技术特征是：原料高纯结晶石英砂的化学组成为：SiO₂≥99.5％，Al₂O₃≤0.4％，Fe₂O₃≤0.01％，Na⁺≤2ppm，Cl^-≤3ppm。