[发明专利]阵列基板、显示面板及制造方法

说明书

本申请公开了一种阵列基板、显示面板及制造方法，阵列基板的制造方法，包括像素电极的制备步骤，像素电极的制备步骤包括：在平坦化层上沉积第一电极薄膜，对第一电极薄膜进行图案化，形成第一子像素电极；在第一子像素电极及暴露于第一子像素电极之外的平坦化层上沉积钝化薄膜，对钝化薄膜进行图案化，形成包覆第一子像素电极的钝化图案；在钝化图案及暴露于钝化图案之外的平坦化层上沉积第二电极薄膜，对第二电极薄膜进行图案化，形成与第一子像素电极同层设置的第二子像素电极，同一像素内的第一子像素电极与第二子像素电极之间的距离小于3μm。上述方案，可以解决三维显示OLED显示装置在进行三维显示时，存在严重的摩尔纹问题。

技术领域

本发明一般涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板、显示面板及制造方法。

背景技术

目前，大多数显示设备都只能显示二维的图像，但是，我们生活的是一个三维的空间，我们大多的经验都来自于对深度信息的感知，因此产生了对三维显示的需求。

随着显示技术的发展，目前出现了可以进行三维显示的OLED (Organic LightEmitting Diode；有机发光二极管)显示装置，三维显示的OLED具有透镜阵列，OLED的发光层设置在对应透镜的焦面上。受限于现有的制作工艺，OLED各像素内对应的子像素电极间的距离大于3.5μm，如此大的距离会造成三维显示OLED显示装置在进行三维显示时，存在严重的摩尔纹问题。

发明内容

本申请期望提供一种阵列基板、显示面板及制造方法，至少用于解决子像素电极间距离较大，导致三维显示OLED显示装置在进行三维显示时，存在严重的摩尔纹问题。

第一方面，本发明提供一种阵列基板的制造方法，包括像素电极的制备步骤，所述像素电极的制备步骤包括：

在平坦化层上沉积第一电极薄膜，对所述第一电极薄膜进行图案化，形成第一子像素电极；

在第一子像素电极及暴露于所述第一子像素电极之外的所述平坦化层上沉积钝化薄膜，对所述钝化薄膜进行图案化，形成包覆所述第一子像素电极的钝化图案；

在所述钝化图案及暴露于所述钝化图案之外的所述平坦化层上沉积第二电极薄膜，对所述第二电极薄膜进行图案化，形成与所述第一子像素电极同层设置的第二子像素电极，同一像素内的所述第一子像素电极与所述第二子像素电极之间的距离小于3μm。

作为可实现方式，同一像素内的所述第一子像素电极与所述第二子像素电极之间的距离为0.01μm-2.5μm。

作为可实现方式，至少去除所述第一子像素电极顶部钝化图案的材料。

作为可实现方式，完全去除所述钝化图案。

第二方面，本发明提供一种采用上述制造方法制备的阵列基板，包括形成于平坦化层上的第一子像素电极和第二子像素电极，同一像素内的所述第一子像素电极与所述第二子像素电极之间的距离小于3 μm。

作为可实现方式，同一像素内的所述第一子像素电极与所述第二子像素电极之间的距离为0.01μm-2.5μm。

作为可实现方式，所述阵列基板包括薄膜晶体管器件，所述薄膜晶体管器件上形成有布线层，所述平坦化层形成于所述布线层上。

第三方面，本发明提供一种显示面板，包括上述的阵列基板，所述阵列基板上设置有发光层，所述发光层上设置有透镜，所述透镜的焦面位于所述发光层。

第四方面，本发明提供一种显示面板的制造方法，包括上述的阵列基板的制造方法；

在所述至少去除所述第一子像素电极顶部钝化图案的材料之后，还包括：

在所述平坦化层上形成像素界定层，所述像素界定层具有暴露各像素的开口；

在各所述开口内形成发光材料层。