[发明专利]阵列基板、显示面板及制造方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，包括像素电极的制备步骤，其特征在于，所述像素电极的制备步骤包括：

在平坦化层上沉积第一电极薄膜，对所述第一电极薄膜进行图案化，形成第一子像素电极；

在所述第一子像素电极及暴露于所述第一子像素电极之外的所述平坦化层上沉积钝化薄膜，对所述钝化薄膜进行图案化，形成包覆所述第一子像素电极的钝化图案；

在所述钝化图案及暴露于所述钝化图案之外的所述平坦化层上沉积第二电极薄膜，所述第二电极薄膜接触所述钝化图案的侧壁且所述钝化图案侧面的厚度在3μm以下；对所述第二电极薄膜进行图案化，形成与所述第一子像素电极同层设置的第二子像素电极，同一像素内的所述第一子像素电极与所述第二子像素电极之间的距离小于3μm。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，同一像素内的所述第一子像素电极与所述第二子像素电极之间的距离为0.01μm-2.5μm。

3.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，至少去除所述第一子像素电极顶部钝化图案的材料。

4.根据权利要求3所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，完全去除所述钝化图案。

5.一种采用权利要求1-4任一项制造方法制备的阵列基板，其特征在于，包括形成于平坦化层上的第一子像素电极和第二子像素电极，同一像素内的所述第一子像素电极与所述第二子像素电极之间的距离小于3μm。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，同一像素内的所述第一子像素电极与所述第二子像素电极之间的距离为0.01μm-2.5μm。

7.根据权利要求5或6所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括薄膜晶体管器件，所述薄膜晶体管器件上形成有布线层，所述平坦化层形成于所述布线层上。

8.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求5或6或7所述的阵列基板，所述阵列基板上设置有发光层，所述发光层上设置有透镜，所述透镜的焦面位于所述发光层。

9.一种显示面板的制造方法，其特征在于，包括权利要求3或4所述的阵列基板的制造方法；

在所述至少去除所述第一子像素电极顶部钝化图案的材料之后，还包括：

在所述平坦化层上形成像素界定层，所述像素界定层具有暴露各像素的开口；

在各所述开口内形成发光材料层。

10.根据权利要求9所述的显示面板的制造方法，其特征在于，在所述发光材料层上顺次形成阴极电极层及封装层。