[发明专利]一种堆叠封装结构及其制造方法

说明书

本发明涉及一种堆叠封装结构及其制造方法，所述封装结构包括第一封装体(1)与第二封装体(3)，第一封装体(1)至少包括一个侧向竖直贴装的互连芯片(12)，所述第一封装体(1)与第二封装体(3)通过互连芯片(12)电性连接。本发明的整体封装厚度显著降低，而且能够满足高密度细间距的要求。

技术领域

本发明涉及一种堆叠封装结构及其制造方法，属于半导体封装技术领域。

背景技术

现如今的电子产品朝着短、小、轻、薄、多功能化的趋势发展，如5G智能手机、平板电脑、通讯基站等等，基于便携式电子设备功能的需要，体积更小、更薄和高密度的POP堆叠封装设计已广泛运用于实际生产中，但是传统的POP堆叠封装一般是通过金属柱导通来实现封装体与封装体之间的互连，其封装结构存在以下不足：

1、在高密度封装中金属柱的数量、高度和直径尺寸因电镀工艺的限制无法满足细间距设计；

2、高密度封装体内的线路间距变小，但是线路的设计受限于金属柱工艺的影响，无法灵活多变；

3、过多的金属柱的数量会导致生产成本增加，工艺难度变大，封装良率降低。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种堆叠封装结构及其制造方法，以解决上述背景技术中提出的细间距导致的金属柱工艺难度变大、封装良率低、生产成本高的问题。

本发明解决上述问题所采用的技术方案为：一种堆叠封装结构，它包括第一封装体与第二封装体，第一封装体至少包括一个侧向竖直贴装的互连芯片，所述第一封装体与第二封装体通过互连芯片电性连接。

可选的，所述互连芯片包括Si基材和至少一条导电线路，导电线路的底部与第一封装体电性连接，导电线路的顶部与第二封装体电性连接。

可选的，所述互连芯片为单层线路结构，Si基材的上表面至少设置有一条导电线路，所述导电线路之间用Si基材间隔开。

可选的，所述互连芯片的导电线路为直线路或曲折线路。

可选的，所述互连芯片为多层线路结构，导电线路的上方还至少设置有一层绝缘层和若干导电线路。

可选的，所述互连芯片为多层线路结构，Si基材的下表面至少设置有一条导电线路。

可选的，所述第一封装体还包括第一功能芯片和第二基板，所述第一功能芯片平面贴装在第二基板上表面，所述第一功能芯片与互连芯片外围包封有第一塑封料，所述第二基板的背面设置有第二金属球。

可选的，所述第二封装体包括第二功能芯片和第一基板，所述第二功能芯片贴装于第一基板上，所述第二功能芯片外围、第一基板的上表面包封有塑封料。

可选的，所述基板包括重布线层，所述重布线层外围包覆有绝缘层。

一种堆叠封装结构的制造方法，所述方法包括以下步骤：

步骤一、取一片圆片；

步骤二、在圆片表面形成导电线路；

步骤三、将圆片切割形成单颗互连芯片；

步骤四、取一载板，将第一功能芯片和至少一个互连芯片贴装到载板上，其中第一功能芯片平面贴装，互连芯片侧向贴装；

步骤五、将第一功能芯片和互连芯片用第一塑封料包封起来；

步骤六、将塑封料上表面减薄直至互连芯片侧面的导电线路露出；

步骤七、在塑封料的上表面和导电线路的上方形成第一基板；

步骤八、在第一基板上贴装第二功能芯片；

步骤九、将第二功能芯片用第二塑封料包封起来；