[发明专利]用于高速数据传输的半导体封装及其制造方法

说明书

本发明实施例涉及用于高速数据传输的半导体封装及其制造方法。本发明实施例涉及一种半导体结构及其形成方法。一种制造所述半导体结构的方法包含：提供衬底；在所述衬底上方沉积第一电介质层；将波导附接到所述第一电介质层；沉积第二电介质层以横向包围所述波导；及在所述第二电介质层及所述波导上方形成第一导电部件及第二导电部件，其中所述第一导电部件及所述第二导电部件与所述波导接触。所述波导经配置以在所述第一导电部件与所述第二导电部件之间传输电磁信号。

技术领域

本发明实施例涉及用于高速数据传输的半导体封装及其制造方法。

背景技术

使用半导体装置的电子设备对于许多现代应用来说是必不可少的。随着电子技术的进步，半导体装置的大小持续变小，同时具有更大功能及更多集成电路量。归因于半导体装置的小型化尺度，衬底上晶片上芯片(CoWoS)广泛用于通过贯穿衬底通路(TSV)将若干芯片集成到单个半导体装置中。在CoWoS操作期间，将许多芯片组装于单个半导体装置上。此外，在小半导体装置内实施许多制造操作。

然而，半导体装置的制造操作涉及小而薄的半导体装置上的许多步骤及操作。小型化尺度的半导体装置的制造变得更复杂。制造半导体装置的复杂性增加会引起例如不良结构配置及元件分层的缺陷以导致半导体装置显著良率损失及制造成本增加。因而，修改半导体装置的结构及改进制造操作存在许多挑战。

发明内容

根据本发明实施例，一种制造半导体结构的方法包括：提供衬底；在所述衬底上方沉积第一电介质层；将波导附接到所述第一电介质层；沉积第二电介质层以横向包围所述波导；及在所述第二电介质层及所述波导上方形成第一导电部件及第二导电部件，所述第一导电部件及所述第二导电部件与所述波导接触，其中所述波导经配置以在所述第一导电部件与所述第二导电部件之间传输电磁信号。

根据本发明实施例，一种制造半导体结构的方法包括：在衬底上方沉积电介质层；在所述电介质层上方形成第一导电部件及第二导电部件；将波导的第一端及第二端分别接合到所述第一导电部件及所述第二导电部件；及形成分别接触所述波导的所述第一端及所述第二端的第三导电部件及第四导电部件。

根据本发明实施例，一种半导体结构包括：衬底；重布层，其安置于所述衬底上方且包括：第一电介质层，其在所述衬底上方；第一导电部件及第二导电部件，其在所述第一电介质层内；波导，其在所述第一电介质层上方且接合到所述第一导电部件及所述第二导电部件；第二电介质层，其横向包围所述波导；第三导电部件及第四导电部件，其耦合到所述波导；及第五导电部件，其在所述第一电介质层内且位于所述第一导电部件与所述衬底的表面之间；及半导体裸片，其在所述重布层上方且电连接到所述第一导电部件。

附图说明

从结合附图阅读的以下详细描述最好地理解本揭露的方面。应注意，根据行业标准做法，各种构件未按比例绘制。实际上，为使讨论清楚，可任意增大或减小各种构件的尺寸。

图1是根据本发明的一些实施例的半导体结构的示意性横截面图。

图2是根据本发明的一些实施例的半导体结构的示意性横截面图。

图3A是说明根据本发明的一些实施例的传输电路、接收电路及波导的示意图。

图3B是说明根据本发明的一些实施例的传输电路、接收电路及波导的示意图。

图4是根据本发明的一些实施例的制造半导体结构的方法的流程图。

图4A到4P是根据本发明的一些实施例的通过图4的方法制造半导体结构的示意图。

具体实施方式