[发明专利]用于高速数据传输的半导体封装及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体结构的方法，其包括：

提供衬底；

在所述衬底上方沉积第一电介质层；

将波导附接到所述第一电介质层；

沉积第二电介质层以横向包围所述波导；及

在所述第二电介质层及所述波导上方形成第一导电部件及第二导电部件，所述第一导电部件及所述第二导电部件与所述波导接触，

其中所述波导经配置以在所述第一导电部件与所述第二导电部件之间传输电磁信号。

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在将所述波导附接到所述第一电介质层之前，将所述波导附接到载体且使所述波导对准于所述第一导电部件与所述第二导电部件之间的位置。

3.根据权利要求2所述的方法，其进一步包括使所述载体脱离所述波导且在所述脱离之后对所述半导体结构执行热操作。

4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在将所述波导附接到所述第一电介质层之后，使所述半导体结构退火。

5.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在将所述波导附接到所述第一电介质层之前，在不同于用于沉积所述第一电介质层的第二腔室的第一腔室中制造所述波导。

6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括形成分别与所述第一导电部件及所述第二导电部件对准的第三导电部件及第四导电部件，其中所述第三导电部件及所述第四导电部件与所述波导接触。

7.一种制造半导体结构的方法，其包括：

在衬底上方沉积电介质层；

在所述电介质层上方形成第一导电部件及第二导电部件；

将波导的第一端及第二端分别接合到所述第一导电部件及所述第二导电部件；及

形成分别接触所述波导的所述第一端及所述第二端的第三导电部件及第四导电部件。

8.根据权利要求7所述的方法，其进一步包括：

形成延伸穿过所述衬底的至少一部分的导电通路；及

在所述衬底上方安置导电凸块以通过所述导电通路将所述第一导电部件或所述第二导电部件电连接到所述导电凸块。

9.根据权利要求7所述的方法，其进一步包括：

分别在所述第一导电部件及所述第二导电部件上方安置第一裸片及第二裸片；及

在所述第一裸片与所述电介质层之间或所述第二裸片与所述电介质层之间形成将所述第一裸片电连接到所述第一导电部件或将所述第二裸片电连接到所述第二导电部件的导电凸块。

10.一种半导体结构，其包括：

衬底；

重布层，其安置于所述衬底上方且包括：

第一电介质层，其在所述衬底上方；

第一导电部件及第二导电部件，其在所述第一电介质层内；

波导，其在所述第一电介质层上方且接合到所述第一导电部件及所述第二导电部件；

第二电介质层，其横向包围所述波导；

第三导电部件及第四导电部件，其耦合到所述波导；及

第五导电部件，其在所述第一电介质层内且位于所述第一导电部件与所述衬底的表面之间；及

半导体裸片，其在所述重布层上方且电连接到所述第一导电部件。