[发明专利]用于存储器装置的低功率模式

说明书

本申请涉及用于存储器装置的低功率模式。存储器装置可以标识被配置成存储在存储器单元阵列中的数据的模式，并且确定所述数据模式是否满足标准。如果数据的位中的每个位包含同一逻辑值，则所述数据模式可以满足所述标准。如果所述数据模式满足所述标准，则所述存储器装置可以：禁用所述存储器装置的内部总线的驱动器；将数据线与所述内部总线隔离；或者将所述数据线与电压源耦合；或者其组合。所述存储器装置可以进一步基于标识所述数据模式满足所述标准来禁用时钟树的信号。

交叉引用

本专利申请要求于2019年7月9日提交的题为“用于存储器装置的低功率模式(LOWPOWER MODE FOR A MEMORY DEVICE)”的赫(He)的美国专利申请第16/506,714号的优先权，所述美国专利申请被转让给本申请的受让人并且通过全文引用的方式明确地并入本文。

技术领域

技术领域涉及用于存储器装置的低功率模式。

背景技术

以下总体上涉及一种包含至少一个存储器装置的系统，并且更具体地，涉及用于存储器装置的低功率模式。

存储器装置广泛用于存储如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置中的信息。通过对存储器装置的不同状态进行编程来存储信息。例如，二进制装置通常存储通常由逻辑1或逻辑0表示的两种状态之一。在其它装置中，可以存储多于两种状态。为了存取存储的信息，装置的组件可以读取或感测存储器装置中的至少一种存储状态。为了存储信息，装置的组件可以在存储器装置中写入或编程状态。

存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、闪速存储器、相变存储器(PCM)等。存储器装置可以是易失性的或非易失性的。非易失性存储器(例如，FeRAM)即使在不存在外部电源的情况下，也可以持续延长的时间段维持其存储的逻辑状态。易失性存储器装置(例如，DRAM)在与外部电源断开连接时可能会丢失其存储的状态。

改进存储器装置通常可以包含增加存储器单元密度、增加读取/写入速度、增加可靠性、增加数据保持、降低功耗或降低制造成本以及其它度量。一些存储器单元可以被配置成存储多种状态。可能期望改善存储器装置的带宽(例如，在给定持续时间期间存取的数据量)。

发明内容

描述了一种方法。所述方法可以包含：由主机装置接收由传感器采样的第一数据；由所述主机装置用第二数据代替所述第一数据；将所述第二数据从所述主机装置传输到存储器装置；由所述存储器装置确定所述第二数据的模式满足标准；基于所述确定所述第二数据的所述模式满足所述标准来禁用所述存储器装置的内部总线的驱动器；以及基于所述禁用所述存储器装置的所述内部总线的所述驱动器来将第三数据存储在所述存储器装置的存储器单元阵列处，其中所述第三数据基于所述第二数据，并且所述第三数据的模式满足所述标准。

描述了一种方法。所述方法可以包含：标识被配置成存储在存储器装置的存储器单元阵列中的数据的模式满足标准；基于标识所述数据模式满足所述标准来禁用所述存储器装置的内部总线的驱动器；基于标识所述数据模式满足所述标准来将所述存储器单元阵列的数据线与所述存储器装置的所述内部总线隔离；以及基于隔离所述数据线来将所述存储器单元阵列的所述数据线与电压源耦合。

描述了一种存储器装置。所述存储器装置可以包含：存储器单元阵列，所述存储器单元阵列被配置成存储数据；内部总线；数据线，所述数据线与所述存储器单元阵列耦合；电压源；以及多路复用器，所述多路复用器与所述内部总线、所述数据线和所述电压源耦合，其中所述多路复用器被配置成基于数据模式是否满足标准来将所述数据线耦合到所述内部总线或所述电压源。