[发明专利]半导体元件及其制备方法

说明书

一种半导体元件及其制备方法，该半导体元件具有一基底，该基底具有一上表面；多个第一位元线接触点以及多个第二位元线接触点，所述多个第一位元线接触点是接触该基底的上表面，所述多个第二位元线接触点是接触该基底的上表面，所述多个第一位元线接触点与所述多个第二位元线接触点位于沿一第一方向的不同水平面；一气隙，设置在该第一位元线接触点与该第二位元线接触点之间；多个第一位元线，分别地对应设置在所述多个第一位元线接触点上；以及多个第二位元线，分别地对应设置在所述多个第一位元线接触点上。所述多个第二位元线接触点的顶表面与所述多个第一位元线的顶表面设置在沿一第二方向的不同水平面，该第二方向大致地垂直于该第一方向。

技术领域

本公开主张2019/09/05申请的美国正式申请案第16/561,280号的优先权及益处，该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。

背景技术

半导体元件是使用在不同的电子应用，例如个人电脑、手机、数码相机，或其他电子设备。半导体元件的尺寸是逐渐地变小，以符合计算能力所逐渐增加的需求。然而，在尺寸变小的工艺期间，是增加不同的问题，且影响到最终电子特性、品质以及良率。因此，仍然持续着在达到改善品质、良率以及可靠度方面的挑战。

上文的“现有技术”说明仅是提供背景技术，并未承认上文的“现有技术”说明公开本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本公开的任一部分。

发明内容

本公开的一实施例提供一种半导体元件，包括：一基底，具有一上表面；多个第一位元线接触点以及多个第二位元线接触点，所述多个第一位元线接触点是接触该基底的该上表面，所述多个第二位元线接触点是接触该基底的该上表面，其中所述多个第一位元线接触点以及所述多个第二位元线接触点是沿一第一方向而位于不同水平面；多个第一位元线，分别地对应设置在所述多个第一位元线接触点上；多个第二位元线，分别地对应设置在所述多个第一位元线接触点上；以及其中所述多个第二位元线接触点的顶表面与所述多个第一位元线的顶表面是沿一第二方向而位于不同水平面，该第二方向是大致地垂直该第一方向。

在本公开的一些实施例中，该半导体元件还包括一气隙，该气隙是(airgap)设置在该第一位元线接触点与该第二位元线之间。

在本公开的一些实施例中，该半导体元件还包括一氮化物间隙子(nitridespacer)，该氮化物间隙子设置在该第一位元线接触点与该气隙之间。

在本公开的一些实施例中，该气隙具有一间隙子形状。

在本公开的一些实施例中，该第二位元线接触点具有一上宽度以及一下宽度，该下宽度小于该上宽度。

在本公开的一些实施例中，所述多个第一位元线是相互分开且相互平行设置。

在本公开的一些实施例中，所述多个第二位元线是设置在相邻两个第一位元线之间。

在本公开的一些实施例中，该第二位元线具有一上宽度以及一下宽度，该下宽度小于该上宽度。

在本公开的一些实施例中，该第二位元线接触点具有一上宽度以及一下宽度，该下宽度小于该上宽度，且该第二位元线的该下宽度小于该第二位元线接触点的该上宽度。

在本公开的一些实施例中，所述多个第二位元线的底表面是位于一垂直水平面，该垂直水平面是高于所述多个第一位元线的顶表面。