[发明专利]半导体元件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体元件，包括：

一基底，具有一上表面；

多个第一位元线接触点以及多个第二位元线接触点，所述多个第一位元线接触点是接触该基底的该上表面，所述多个第二位元线接触点是接触该基底的该上表面，其中所述多个第一位元线接触点以及所述多个第二位元线接触点沿一第一方向而位于不同水平面；

多个第一位元线，分别地对应设置在所述多个第一位元线接触点上；

多个第二位元线，分别地对应设置在所述多个第一位元线接触点上；以及

其中所述多个第二位元线接触点的顶表面与所述多个第一位元线的顶表面沿一第二方向而位于不同水平面，该第二方向大致地垂直该第一方向。

2.如权利要求1所述的半导体元件，还包括一气隙，该气隙设置在该第一位元线接触点与该第二位元线之间。

3.如权利要求2所述的半导体元件，还包括一氮化物间隙子，该氮化物间隙子设置在该第一位元线接触点与该气隙之间。

4.如权利要求2所述的半导体元件，其中该气隙具有一间隙子形状。

5.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第二位元线接触点具有一上宽度以及一下宽度，该下宽度小于该上宽度。

6.如权利要求1所述的半导体元件，其中所述多个第一位元线相互分开且相互平行设置。

7.如权利要求6所述的半导体元件，其中所述多个第二位元线设置在相邻两个第一位元线之间。

8.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第二位元线具有一上宽度以及一下宽度，该下宽度小于该上宽度。

9.如权利要求8所述的半导体元件，其中该第二位元线接触点具有一上宽度以及一下宽度，该下宽度小于该上宽度，且该第二位元线的该下宽度小于该第二位元线接触点的该上宽度。

10.如权利要求1所述的半导体元件，其中所述多个第二位元线的底表面位于一垂直水平面，该垂直水平面高于所述多个第一位元线的顶表面。

11.一种半导体元件的制备方法，包括：

提供一基底，该基底具有一上表面；

形成多个第一位元线接触点，所述多个第一位元线接触点接触该基底的该上表面；

形成多个第一位元线，所述多个第一位元线分别地对应位于所述多个第一位元线接触点上；

形成多个第二位元线接触点，所述多个第二位元线接触点接触该基底的该上表面，其中所述多个第一位元线接触点与所述多个第二位元线接触点沿着一第一方向而位于不同水平面；以及

形成多个第二位元线，所述多个第二位元线分别的对应位于所述多个第一位元线接触点上；

其中所述多个第二位元线接触点的顶表面与所述多个第一位元线的顶表面沿一第二方向而位于不同水平面，该第二方向大致地垂直该第一方向。

12.如权利要求11所述的半导体元件的制备方法，还包括：在该第一位元线接触点与该第二位元线之间形成一气隙。

13.如权利要求12所述的半导体元件的制备方法，还包括：

形成一开口以暴露一主动区的一中心部位；

在该开口中形成一第一间隙子，并形成一第二间隙子以覆盖该第一间隙子；以及

移除该第一间隙子。

14.如权利要求12所述的半导体元件的制备方法，还包括：在该第二位元线接触点与该气隙之间形成一氮化物间隙子。

15.如权利要求12所述的半导体元件的制备方法，其中该气隙具有一间隙子形状。