[发明专利]三维存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种三维存储器的制造方法，包括以下步骤：

提供衬底，在所述衬底上形成牺牲层；

对所述牺牲层进行局部掺杂，形成在第一方向交替的掺杂区和非掺杂区，所述掺杂区和非掺杂区沿着与所述第一方向垂直的第二方向延伸；

在所述牺牲层上形成堆叠层和垂直穿过所述堆叠层和牺牲层的沟道结构，其中所述沟道结构具有存储器层和被所述存储器层围绕的导电部，所述导电部到达所述牺牲层；

形成垂直穿过所述堆叠层而到达所述牺牲层的栅线隙；

选择性去除所述掺杂区或所述非掺杂区，在所述堆叠层与所述牺牲层之间形成间隙，去除所述存储器层在所述间隙中的部分的至少一部分侧壁，露出所述导电部的至少一部分侧壁；以及

在所述间隙中填充导电层，所述导电层接触所述导电部。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：在所述栅线隙中填充绝缘层。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：在所述栅线隙中填充阵列共源极。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

在所述衬底的未覆盖所述堆叠层的阶梯区形成导电接触；以及

在所述衬底背面形成电连接所述衬底和所述导电接触的连接层。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，去除所述牺牲层之前还包括在所述栅线隙侧壁形成间隔层。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括对所述衬底和所述导电层进行相反类型的掺杂。

7.如权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述衬底背面形成电连接所述衬底和所述导电接触的连接层之前还包括：将所述堆叠层与另一器件键合。

8.如权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述衬底背面形成电连接所述衬底和所述导电接触的连接层的步骤包括：

在所述衬底背面形成保护层，且从所述保护层背面形成暴露所述导电接触的第一通孔和暴露所述衬底的第二通孔；以及

在所述保护层背面形成延伸到所述第一通孔和所述第二通孔的连接层。

9.一种三维存储器，包括：

衬底，所述衬底定义核心区和字线连接区；

位于所述衬底上的导电层，所述导电层包括在第一方向交替的第一区域和第二区域，所述第一区域和第二区域沿着与所述第一方向垂直的第二方向延伸；

位于所述导电层上的堆叠层，所述堆叠层包括间隔的栅极层；以及

垂直穿过所述堆叠层且到达所述衬底的沟道结构，所述沟道结构包括导电部，其中所述导电部位于所述导电层的部分从所述沟道结构的侧面露出，从而与所述导电层接触，

其中所述第一区域先于所述堆叠层形成以用于支撑所述堆叠层，且所述第二区域后于所述堆叠层形成。

10.如权利要求9所述的三维存储器，其特征在于，还包括垂直穿过所述堆叠层而到达所述导电层的栅线隙，所述栅线隙中填充有绝缘层。

11.如权利要求9所述的三维存储器，其特征在于，还包括垂直穿过所述堆叠层而到达所述导电层的栅线隙，所述栅线隙中填充有阵列共源极。

12.如权利要求9所述的三维存储器，其特征在于，所述衬底和所述导电层是经掺杂的，且掺杂类型相反。

13.如权利要求9所述的三维存储器，其特征在于，还包括与所述堆叠正面键合的另一器件。

14.如权利要求10所述的三维存储器，其特征在于，还包括：

位于所述衬底的未覆盖所述堆叠层的字线连接区的导电接触；以及

位于所述衬底背面连接层，电连接所述衬底和所述导电接触。

15.如权利要求11所述的三维存储器，其特征在于，还包括：

位于所述导电层的导电触点，所述导电触点接触所述阵列共源极。