[发明专利]MEMS传感器和电子设备

权利要求书

1.一种MEMS传感器，其特征在于，包括：

基底，所述基底设有背腔；

第一振膜和第二振膜，所述第一振膜和所述第二振膜设于所述基底的同一侧，所述第一振膜与所述基底连接，至少部分所述第一振膜可振动地设于所述背腔，所述第一振膜和所述第二振膜之间形成密封腔；

背极单元，至少部分所述背极单元位于密封腔内且与第一振膜、第二振膜构成电容器结构，位于所述密封腔内的所述背极单元设置有多个贯通背极单元两侧的通孔；

导热介质，所述导热介质遇热膨胀，并容置于所述密封腔内；以及

加热装置，所述加热装置用于加热所述导热介质；当所述加热装置加热所述导热介质时，所述导热介质受热膨胀，所述第一振膜与所述第二振膜相互远离，以增大所述密封腔的腔体内部空间，使得所述第一振膜与所述第二振膜在声波的作用下振动幅度变小。

2.如权利要求1所述的MEMS传感器，其特征在于，所述加热装置设于所述背腔的腔壁，并邻近所述第一振膜设置。

3.如权利要求1所述的MEMS传感器，其特征在于，所述加热装置设于所述第二振膜背离所述第一振膜的一侧。

4.如权利要求1所述的MEMS传感器，其特征在于，所述加热装置设于所述密封腔内，并与所述背极单元连接。

5.如权利要求1所述的MEMS传感器，其特征在于，所述加热装置设于所述第一振膜。

6.如权利要求1所述的MEMS传感器，其特征在于，所述加热装置设于所述第二振膜。

7.如权利要求1所述的MEMS传感器，其特征在于，所述加热装置设于所述背极单元。

8.如权利要求1所述的MEMS传感器，其特征在于，所述加热装置设于所述基底。

9.如权利要求1所述的MEMS传感器，其特征在于，所述导热介质包括液态导热体；

且/或，所述导热介质包括气态导热体。

10.如权利要求9所述的MEMS传感器，其特征在于，所述密封腔的压力P的取值范围为：0.5atm≤P≤5atm。

11.如权利要求1至10中任一项所述的MEMS传感器，其特征在于，所述密封腔的腔壁和所述背极单元二者中的至少一个还设有限位凸起，所述限位凸起设于所述第一振膜和/或所述第二振膜的振动路径，并用于限制所述第一振膜和/或所述第二振膜的振幅。

12.如权利要求1至10中任一项所述的MEMS传感器，其特征在于，所述密封腔内还设有支撑柱，所述支撑柱穿设于所述通孔，所述支撑柱的一端与所述第一振膜连接，另一端与所述第二振膜连接。

13.如权利要求1至10中任一项所述的MEMS传感器，其特征在于，所述MEMS传感器还包括贯穿所述第一振膜和所述第二振膜的泄压孔，所述泄压孔的外侧孔壁与所述第一振膜、所述第二振膜和至少部分背极单元共同形成所述密封腔。

14.如权利要求13所述的MEMS传感器，其特征在于，所述背极单元包括：

背极板，所述背极板设于所述第一振膜和所述第二振膜之间，所述通孔设于所述背极板；

第一支撑块，所述第一支撑块设于所述背极板和所述第一振膜之间，所述第一支撑块的两侧分别与所述背极板和所述第一振膜固定连接；以及

第二支撑块，所述第二支撑块设于所述背极板和所述第二振膜之间，所述第二支撑块的两侧分别与所述背极板和所述第二振膜固定连接；

所述泄压孔的外侧孔壁与所述第一振膜、所述第二振膜、所述第一支撑块和所述第二支撑块共同围合形成所述密封腔。

15.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1至14中任一项所述的MEMS传感器。