[发明专利]显示基板及其制备方法、曝光对位方法有效

专利信息
申请号: 202010618823.6 申请日: 2020-06-30
公开(公告)号: CN111736427B 公开(公告)日: 2022-07-26
发明(设计)人: 周毅;张立震;徐胜;何伟;吴慧利;赵雪飞;贺芳;李士佩;顾仁权;黎午升 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G03F7/00 分类号: G03F7/00;G03F9/00;G09F9/30
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 代理人: 解婷婷;曲鹏
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 显示 及其 制备 方法 曝光 对位
【权利要求书】:

1.一种显示基板,其特征在于,包括衬底、设置在所述衬底上的钝化层以及设置在所述钝化层上的低反射膜层,所述钝化层上设置有对位标记,所述低反射膜层覆盖所述对位标记,用于形成所述低反射膜层的晶体薄膜能够被曝光机发出的曝光光线穿过,穿过所述晶体薄膜的曝光光线与所述对位标记进行曝光对位,所述低反射膜层被配置为吸收光线,所述低反射膜层包括设置于所述衬底之上的晶体基底以及形成于所述晶体基底上的多个棱锥微结构,所述棱锥微结构的外表面形成有多个微孔,所述微孔在所述棱锥微结构的外表面呈螺旋形排布。

2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述多个棱锥微结构的高度不同。

3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述低反射膜层采用多晶硅材料。

4.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,还包括设置于所述衬底之上的发光驱动电路,所述发光驱动电路位于所述衬底与所述钝化层之间。

5.根据权利要求4所述的显示基板,其特征在于,还包括设置于所述低反射膜层之上的导电膜层,所述低反射膜层中设置有与所述发光驱动电路连通的过孔,所述导电膜层通过所述过孔与所述发光驱动电路连接。

6.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,还包括设置于所述衬底之上的挡墙,所述挡墙围绕所述低反射膜层的四周。

7.一种权利要求1至3任一所述显示基板的制备方法,其特征在于,包括:

在衬底上形成钝化层,在所述钝化层上形成对位标记;

在所述钝化层上沉积晶体薄膜,使所述晶体薄膜覆盖所述对位标记;所述晶体薄膜能够被曝光机发出的曝光光线穿过,穿过所述晶体薄膜的曝光光线与所述对位标记进行曝光对位;

对所述晶体薄膜进行腐蚀,使所述晶体薄膜形成晶体基底以及形成于所述晶体基底上的多个棱锥微结构;

在所述棱锥微结构上形成多个金属粒子;

通过刻蚀工艺,使所述金属粒子嵌入所述棱锥微结构中;

将所述棱锥微结构上的金属粒子去除,使所述棱锥微结构的外表面上形成多个微孔,所述微孔在所述棱锥微结构的外表面呈螺旋形排布,所述晶体基底和所述棱锥微结构形成低反射膜层,所述低反射膜层被配置为吸收光线。

8.根据权利要求7所述的显示基板的制备方法,其特征在于,在所述棱锥微结构上形成多个金属粒子,包括:

在所述棱锥微结构上沉积金属薄膜;

对所述金属薄膜进行退火工艺,使所述金属薄膜在所述棱锥微结构上形成多个金属粒子。

9.一种权利要求1至3任一所述显示基板的曝光对位方法,其特征在于,包括:

在衬底上沉积钝化层;

在所述钝化层上形成对位标记;

在所述钝化层上沉积覆盖所述对位标记的晶体薄膜;

所述晶体薄膜能够被曝光机发出的曝光光线穿过,穿过所述晶体薄膜的曝光光线与所述对位标记进行曝光对位;

对所述晶体薄膜进行腐蚀,使所述晶体薄膜形成晶体基底以及形成于所述晶体基底上的多个棱锥微结构;

在所述棱锥微结构上形成多个金属粒子;

通过刻蚀工艺,使所述金属粒子嵌入所述棱锥微结构中;

将所述棱锥微结构上的金属粒子去除,使所述棱锥微结构上形成多个微孔,所述微孔在所述棱锥微结构的外表面呈螺旋形排布,所述晶体基底和所述棱锥微结构形成低反射膜层,所述低反射膜层被配置为吸收光线。

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