[发明专利]液体汽化器

说明书

本发明公开了一种半导体处理装置。所述半导体装置包括反应器和被构造成向所述反应器提供反应物蒸汽的汽化器。所述装置可包括在所述汽化器与所述反应器之间的过程控制室。所述装置可包括控制系统，所述控制系统被配置成至少部分地基于所测量的所述过程控制室中的压力的反馈来调节所述过程控制室中的压力。

背景

技术领域

技术领域涉及液体汽化器，例如，用于半导体处理装置的液体汽化器。

背景技术

在半导体处理期间，各种反应物蒸汽被馈送到反应室中。在一些应用中，反应物蒸汽以气态形式储存在反应物源容器中。在此类应用中，反应物蒸汽在环境压力和温度下通常是气态的。然而，在一些情况下，使用在环境压力和温度下为液体或固体的源化学品的蒸汽。这些物质可被加热以产生用于反应过程(例如气相沉积)的足够量的蒸汽。取决于配置，用于半导体行业的化学气相沉积(CVD)可能需要反应物蒸汽的连续流，而原子层沉积(ALD)可能需要连续流或脉动供应。在这两种情况下，可能重要的是，准确地知道每单位时间或每个脉冲供应的反应物的数量，以便控制剂量和对过程的影响。

对于一些固体和液体物质，室温下的蒸汽压力如此低，以至于必须将它们加热以产生足够量的反应物蒸汽和/或维持在极低的压力下。一旦汽化，重要的是，气相反应物通过处理系统保持蒸汽形式，以防止在反应室中，以及在阀、过滤器、导管和与将气相反应物递送到反应室相关联的其它部件中的不期望的冷凝。来自此类固体或液体物质的气相反应物还可用于半导体行业的其它类型的化学反应(例如，蚀刻、掺杂等)和用于各种其它行业，但例如在CVD或ALD中对所采用的金属和半导体前体特别关注。然而，仍然存在对改善反应物蒸汽的形成和向反应器递送反应物蒸汽的持续需要。

发明内容

在一个实施例中，公开了一种半导体处理装置。所述装置可包括反应器和被构造成向所述反应器提供反应物蒸汽的汽化器。所述装置可包括在所述汽化器与所述反应器之间的过程控制室。所述装置可包括控制系统，所述控制系统被配置成至少部分地基于所测量的所述过程控制室中的压力的反馈来调节所述过程控制室中的压力。

在另一个实施例中，公开了一种用于形成汽化反应物的装置。所述装置可包括被构造成将反应物源汽化成反应物蒸汽的汽化器，所述汽化器设置在处于第一温度的第一热区中。所述装置可包括在所述汽化器下游的过程控制室，所述过程控制室设置在处于第二温度的第二热区中，所述第二温度高于所述第一温度。所述装置可包括控制系统，所述控制系统配置成在第一温度下将所述汽化器中的第一压力维持在所述反应物蒸汽的露点压力或所述反应物蒸汽的露点压力以下。所述控制系统可被配置成至少部分地基于所测量的所述过程控制室中的压力的反馈来调节所述过程控制室中的压力。

在另一个实施例中，公开了一种形成汽化反应物的方法。所述方法可包括将反应物源供应到汽化器，所述汽化器设置在处于第一温度的第一热区中。所述方法可包括使所述反应物源汽化以形成反应物蒸汽。所述方法可包括在所述第一温度下，将所述汽化器中的压力维持在所述反应物蒸汽的总蒸汽压力或所述反应物蒸汽的总蒸汽压力以下。所述方法可包括将所述反应物蒸汽传递到过程控制室，所述过程控制室设置在处于第二温度的第二热区中，所述第二温度大于所述第一温度。所述方法可包括至少部分地基于所测量的所述过程控制室中的压力的反馈来调节所述过程控制室中的压力。

在另一个实施例中，公开了一种用于形成汽化反应物的装置。所述装置可包括被构造成从液体反应物形成反应物蒸汽的汽化器。所述装置可包括在所述汽化器下游的过程控制室。所述装置可包括控制系统，所述控制系统被配置成至少部分地基于所测量的所述过程控制室中的压力的反馈来调节所述过程控制室中的压力。

附图说明

现将参考若干实施例的图式描述本发明的这些和其它特征、方面和优点，所述实施例旨在说明且不限制本发明。

图1是根据各种实施例的半导体处理装置的示意性系统图。