[发明专利]液体汽化器

权利要求书

1.一种半导体处理装置，包括：

反应器；

汽化器，所述汽化器被构造成向所述反应器提供反应物蒸汽；

过程控制室，所述过程控制室在所述汽化器与所述反应器之间；

控制系统，所述控制系统被配置成至少部分地基于所测量的所述过程控制室中的压力的反馈来调节所述过程控制室中的压力。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述控制系统被配置成将所述汽化器中的压力维持在所述反应物蒸汽的露点压力或所述反应物蒸汽的露点压力以下。

3.根据权利要求2所述的装置，还包括与所述汽化器流体连通的第一压力换能器，其中，所述控制系统包括处理电子器件，所述处理电子器件被配置成至少部分地基于来自由所述第一压力换能器获得的一个或多个压力测量的反馈来维持所述汽化器中的压力。

4.根据权利要求3所述的装置，还包括在所述汽化器上游并且与所述第一压力换能器电连通的第一阀，所述第一阀被构造成调节所述汽化器中的压力。

5.根据权利要求2所述的装置，其中，所述反应物蒸汽包括汽化溶剂。

6.根据权利要求1所述的装置，还包括与所述过程控制室流体连通的第二压力换能器，其中，所述控制系统包括处理电子器件，所述处理电子器件被配置成调节所述过程控制室中的压力，并且将所述过程控制室中的压力维持在所述反应物蒸汽的露点压力或所述反应物蒸汽的露点压力以下。

7.根据权利要求6所述的装置，其中，所述控制系统被配置成至少部分地基于来自由所述第二压力换能器获得的一个或多个压力测量的反馈来调节所述过程控制室中的压力。

8.根据权利要求7所述的装置，还包括在所述过程控制室上游的第二阀，所述第二阀被构造成调节所述过程控制室中的压力。

9.根据权利要求1所述的装置，还包括在所述第二阀上游的过滤器。

10.根据权利要求1所述的装置，其中，所述汽化器设置在处于第一温度的第一热区中，并且所述过程控制室设置在处于第二温度的第二热区中，所述第二温度大于所述第一温度。

11.根据权利要求1所述的装置，还包括在所述过程控制室与所述反应器之间的第三阀，所述第三阀被构造成调节所述反应物蒸汽向所述反应器的流动。

12.根据权利要求1所述的装置，其中，所述汽化器不连接到非活性气体供应管线。

13.根据权利要求1所述的装置，还包括将液体反应物输送到所述汽化器的液体反应物源。

14.根据权利要求13所述的装置，还包括在所述汽化器上游的雾化器。

15.根据权利要求14所述的装置，还包括液体质量流量控制器(MFC)以对所述液体反应物向所述汽化器的流动进行计量。

16.一种用于形成汽化反应物的装置，所述装置包括：

汽化器，所述汽化器被构造成将反应物源汽化成反应物蒸汽，所述汽化器设置在处于第一温度的第一热区中；

在所述汽化器下游的过程控制室，所述过程控制室设置在处于第二温度的第二热区中，所述第二温度高于所述第一温度；

控制系统，所述控制系统被配置成：

在所述第一温度下将所述汽化器中的第一压力维持在所述反应物蒸汽的露点压力或所述反应物蒸汽的露点压力以下；

至少部分地基于所测量的所述过程控制室中的压力的反馈来调节所述过程控制室中的压力。

17.根据权利要求16所述的装置，还包括在所述过程控制室下游的反应器。