[发明专利]显示面板及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

衬底；

驱动阵列层，位于所述衬底上，所述驱动阵列层包括多个像素驱动单元，每个所述像素驱动单元包括硅晶体管以及氧化物晶体管，所述硅晶体管包括硅有源层以及位于所述硅有源层背离所述衬底侧的第一栅极，所述氧化物晶体管包括氧化物有源层以及位于所述氧化物有源层背离所述衬底侧的第二栅极，其中，所述硅有源层与所述氧化物有源层同层设置；

所述驱动阵列层还包括氮化硅栅绝缘层和第一氧化硅栅绝缘层，所述氮化硅栅绝缘层、所述第一氧化硅栅绝缘层中的至少一者位于所述硅有源层背离所述衬底的表面，以将所述第一栅极与所述硅有源层绝缘间隔，所述氮化硅栅绝缘层包括至少一个第一开口，每个所述第一开口在所述衬底上的第一正投影，覆盖对应一个所述氧化物晶体管的所述氧化物有源层在所述衬底上的第二正投影，且所述第一正投影的边缘与所述第二正投影的边缘之间最小距离大于0，所述第一氧化硅栅绝缘层还位于所述氧化物有源层背离所述衬底的表面，以将所述第二栅极与所述氧化物有源层绝缘间隔。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述驱动阵列层还包括：

第二氧化硅栅绝缘层，所述第二氧化硅栅绝缘层位于所述氧化物有源层朝向所述衬底的表面，

所述氧化物晶体管还包括第三栅极，所述第三栅极位于所述氧化物有源层朝向所述衬底侧，并且通过所述第二氧化硅栅绝缘层与所述氧化物有源层绝缘间隔。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述氮化硅栅绝缘层还包括至少一个第二开口，每个所述第二开口在所述衬底上的第三正投影，覆盖对应一个所述硅晶体管的所述硅有源层在所述衬底上的第四正投影，所述第一氧化硅栅绝缘层位于所述硅有源层背离所述衬底的表面，以将所述第一栅极与所述硅有源层绝缘间隔。

4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述驱动阵列层还包括：

层间绝缘层，所述层间绝缘层位于所述第一栅极、所述第二栅极背离所述衬底侧，并且所述层间绝缘层覆盖所述硅有源层、所述第一栅极、所述氧化物有源层、所述第二栅极设置，

所述硅晶体管还包括第一源电极以及第一漏电极，所述第一源电极、所述第一漏电极位于所述层间绝缘层背离所述衬底侧，所述第一源电极、所述第一漏电极分别通过设于所述层间绝缘层内的第一过孔与所述硅有源层连接，

所述氧化物晶体管还包括第二源电极以及第二漏电极，所述第二源电极、所述第二漏电极位于所述层间绝缘层背离所述衬底侧，所述第二源电极、所述第二漏电极分别通过设于所述层间绝缘层内的第二过孔与所述氧化物有源层连接，

其中，所述第一过孔、所述第二过孔在垂直于所述衬底方向上的深度相等。

5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第一过孔在垂直于所述衬底方向上的深度为380纳米至1100纳米；所述第二过孔在垂直于所述衬底方向上的深度为380纳米至1100纳米。

6.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述驱动阵列层还包括：

平坦化层，所述平坦化层位于所述第一源电极、所述第一漏电极、所述第二源电极、所述第二漏电极的背离所述衬底侧；

所述显示面板还包括发光元件阵列层，位于所述平坦化层的背离所述衬底侧，所述发光元件阵列层包括多个发光元件，每个所述发光元件包括与对应一个像素驱动单元的所述硅晶体管相连接的第一电极。

7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述平坦化层包括：

第一子平坦化层，位于所述第一源电极、所述第一漏电极、所述第二源电极、所述第二漏电极的背离所述衬底侧；

第二子平坦化层，位于所述第一子平坦化层的背离所述衬底侧，

所述驱动阵列层还包括：

辅助导线，夹设于所述第一子平坦化层与所述第二子平坦化层之间，所述辅助导线将所述第一电极与对应所述硅晶体管的所述第一源电极或所述第一漏电极连接。