[发明专利]显示面板及其制作方法、显示装置

说明书

本发明公开了一种显示面板及其制作方法、显示装置。显示面板包括：衬底；驱动阵列层，驱动阵列层包括硅晶体管以及氧化物晶体管，硅晶体管包括硅有源层以及第一栅极，氧化物晶体管包括氧化物有源层以及第二栅极，其中，硅有源层与氧化物有源层同层设置；驱动阵列层还包括氮化硅栅绝缘层和第一氧化硅栅绝缘层，氮化硅栅绝缘层、第一氧化硅栅绝缘层中的至少一者位于硅有源层背离衬底的表面，氮化硅栅绝缘层包括第一开口，第一开口在衬底上的正投影覆盖氧化物有源层在衬底上的正投影，第一氧化硅栅绝缘层还位于氧化物有源层背离衬底的表面。根据本发明实施例的显示面板，降低包含两种半导体材料晶体管的显示面板的制作难度。

技术领域

本发明涉及显示领域，具体涉及一种显示面板及其制作方法、显示装置。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Display，OLED)显示装置作为平面显示装置，因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。

OLED显示装置通常采用主动矩阵(Active matrix，AM)的驱动方式，即OLED显示装置的阵列基板上包括阵列排布的多个像素驱动单元，每个像素驱动单元用于驱动对应一个发光元件发光。其中，每个像素驱动单元包括至少两个晶体管。例如，每个像素驱动单元可以同时包括硅晶体管和氧化物晶体管，使得像素驱动单元能够融合硅晶体管的驱动能力强和氧化物晶体管的功耗低的优点。

然而，现有技术在制作同时包含硅晶体管和氧化物晶体管的阵列基板时的工艺，通常是在原本完成硅晶体管制作的基础上，新增用于制作氧化物晶体管的膜层，使得整体膜层厚度更大。在自层间介质层表面形成连接至的硅晶体管有源层的过孔时，该过孔的深度较大，使得工艺难度较大。

发明内容

本发明提供一种显示面板及其制作方法、显示装置，降低在制作同时包含硅晶体管和氧化物晶体管的显示面板时的工艺难度。

第一方面，本发明实施例提供一种显示面板，其包括：衬底；驱动阵列层，位于衬底上，驱动阵列层包括多个像素驱动单元，每个像素驱动单元包括硅晶体管以及氧化物晶体管，硅晶体管包括硅有源层以及位于硅有源层背离衬底侧的第一栅极，氧化物晶体管包括氧化物有源层以及位于氧化物有源层背离衬底侧的第二栅极，其中，硅有源层与氧化物有源层同层设置；驱动阵列层还包括氮化硅栅绝缘层和第一氧化硅栅绝缘层，氮化硅栅绝缘层、第一氧化硅栅绝缘层中的至少一者位于硅有源层背离衬底的表面，以将第一栅极与硅有源层绝缘间隔，氮化硅栅绝缘层包括至少一个第一开口，每个第一开口在衬底上的第一正投影，覆盖对应一个氧化物晶体管的氧化物有源层在衬底上的第二正投影，且第一正投影的边缘与第二正投影的边缘之间最小距离大于0，第一氧化硅栅绝缘层还位于氧化物有源层背离衬底的表面，以将第二栅极与氧化物有源层绝缘间隔。

第二方面，本发明实施例提供一种显示装置，其包括根据前述任一实施方式的显示面板。

第三方面，本发明实施例提供一种显示面板的制作方法，其包括：在衬底上形成硅晶体管的硅有源层；形成覆盖硅有源层的氮化硅栅绝缘层；氢化及活化硅有源层；图案化氮化硅栅绝缘层，在氮化硅栅绝缘层上形成至少一个第一开口；在第一开口内、衬底上形成氧化物晶体管的氧化物有源层，其中，每个第一开口在衬底上的第一正投影，覆盖对应一个氧化物晶体管的氧化物有源层在衬底上的第二正投影，且第一正投影的边缘与第二正投影的边缘之间最小距离大于0；在氧化物晶体管背离衬底的表面形成第一氧化硅栅绝缘层；以及在硅有源层背离衬底侧形成第一栅极，在氧化物有源层背离衬底侧形成第二栅极，第一栅极与硅有源层绝缘间隔，第二栅极与氧化物有源层通过第一氧化硅栅绝缘层绝缘间隔。