[发明专利]一种电子设备、半导体器件、封装结构、支架及其制作方法

权利要求书

1.一种支架，其特征在于，所述支架包括：

第一架，包括第一陶瓷基体及其表面的第一金属覆层；

与所述第一架对置的第二架，包括第二陶瓷基体及其表面的第二金属覆层；

电镀层，位于对置的所述第一架和所述第二架之间，且分别与所述第一金属覆层和所述第二金属覆层电镀连接。

2.根据权利要求1所述的支架，其特征在于，所述支架包括下述任意一项或多项之限定：

第一限定、所述第一陶瓷基体的厚度在0.2毫米至1.5毫米之间；

第二限定、所述第二陶瓷基体的厚度小于等于1.0毫米；

第三限定、所述第一架的热膨胀系数与所述第二架的热膨胀系数一致或相近；

第四限定、所述支架在工作温度达到250℃至400℃的条件下的工作时间在5分钟以上；

第五限定、所述支架能够在高低温温差50至200℃的交替高低温环境下持续工作；

第六限定、所述第一金属覆层和所述第二金属覆层均是平整的或凹凸不平的，和/或，所述第一陶瓷基体和所述第一陶瓷基体分别独立地构造为平整的或凹凸不平的；

第七限定、第一陶瓷基体与第二陶瓷基体之间的金属材料，包括第一金属覆层、第二金属覆层和电镀金属层，厚度不超过100μm。

3.根据权利要求1或2所述的支架，其特征在于，所述第一金属覆层和所述第二金属覆层之间具有垫片。

4.根据权利要求3所述的支架，其特征在于，所述垫片位于所述第一金属覆层和所述电镀层之间。

5.根据权利要求4所述的支架，其特征在于，所述垫片的厚度小于80微米；和/或，所述垫片的材料是金属或非金属。

6.根据权利要求3所述的支架，其特征在于，所述垫片结合于所述电镀层内。

7.根据权利要求6所述的支架，其特征在于，所述垫片的厚度小于80微米；和/或，所述垫片的材料是金属或非金属。

8.根据权利要求3所述的支架，其特征在于，所述垫片的厚度小于70微米。

9.根据权利要求1或2所述的支架，其特征在于，所述第一金属覆层和所述第二金属覆层直接通过所述电镀层电镀连接。

10.根据权利要求1所述的支架，其特征在于，所述支架具有电镀电极，且所述电镀电极与所述电镀层电性连接；

或者，所述支架具有结合于所述第二陶瓷基体的电镀电极，所述第二陶瓷基体具有通孔、填充于所述通孔内的导电柱，所述电镀电极通过所述导电柱与所述电镀层电性连接。

11.根据权利要求3所述的支架，其特征在于，所述支架具有电镀电极，且所述电镀电极与所述电镀层电性连接；

或者，所述支架具有结合于所述第二陶瓷基体的电镀电极，所述第二陶瓷基体具有通孔、填充于所述通孔内的导电柱，所述电镀电极通过所述导电柱与所述电镀层电性连接。

12.根据权利要求9所述的支架，其特征在于，所述支架具有电镀电极，且所述电镀电极与所述电镀层电性连接；

或者，所述支架具有结合于所述第二陶瓷基体的电镀电极，所述第二陶瓷基体具有通孔、填充于所述通孔内的导电柱，所述电镀电极通过所述导电柱与所述电镀层电性连接。

13.根据权利要求1所述的支架，其特征在于，所述支架具有结合于所述第二陶瓷基体的电镀电极，所述第二陶瓷基体具有两个电镀通孔、分别填充于所述两个电镀通孔内的两个导电柱，所述电镀电极通过所述两个导电柱与所述电镀层电性连接；

所述第二陶瓷基体具有正电极和负电极，所述正电极具有正极通孔，所述负电极具有负极通孔，所述正极通孔和所述负极通孔的连线与所述两个电镀通孔的连线正交或与正负电极连线呈一倾斜角度；

或者，所述电镀电极位于所述第二陶瓷基体的边缘。