[发明专利]一种融合SMT的MCM集成电路封装方法

权利要求书

1.一种融合SMT的MCM集成电路封装方法，其特征在于，包括步骤：

S1、金属引线框架预处理；

S2、采用SMT工艺金属引线框架的焊接区安装有源器件，同时在金属引线框架的芯片区安装芯片；

S3、金属引线框架后处理；

S4、封装处理；

所述的步骤S2采用SMT工艺金属引线框架的焊接区安装有源器件，同时在金属引线框架的芯片区安装芯片，是采用焊贴热控制装置同时进行焊贴热控制工艺完成，具体包括，金属引线框架上安装有源器件并对其涂焊膏，同时贴上芯片，然后将带有加热头的限位弯板从芯片的上下位置同时贴近芯片，通过加热头将热量传递给控热盘再对芯片进行加热；同时然后将带有加热头的限位弯板从有源器件的下方位置贴近有源器件下部的引脚通过加热头将热量传递给控热盘再对引脚的焊膏加热。

2.根据权利要求1所述的一种融合SMT的MCM集成电路封装方法，其特征在于，所述焊膏的加热效率与所述芯片的加热效率不同。

3.根据权利要求1所述的一种融合SMT的MCM集成电路封装方法，其特征在于，控热盘在进行加热时需要对加热头的加热周期进行控制，并且具体控制加热的时间周期、每个加热周期内的加热功率。

4.根据权利要求1或3所述的一种融合SMT的MCM集成电路封装方法，其特征在于，在条件“控热盘包括中心部位的加热头导热件以及外部的散热盘，散热盘到中部的加热头导热件上设置重合半径的刻度线，刻度线标识了在散热盘上距离加热头导热件的不同位置，而加热头导热件连接加热头”下：

加热头导热件的加热效率为t时，建立数学模型，以距离加热头导热件不同的散热盘上不同的刻度线位置为自变量，分别构建两个函数f导和f散来描述不同的刻度线位置与其导热效率的关系、不同的刻度线位置与其散热效率的关系，具体是：不同的刻度线位置导热效率：P(导）=f导（w），不同的刻度线位置散热效率：P(散）=f散（w）；

当芯片或有源器件对热量的需求功率是p（需)时，需要满足：p（需)=∫（f导（w）-f散（w））。

5.根据权利要求1或3所述的一种融合SMT的MCM集成电路封装方法，其特征在于，增加加热头的加热周期，以控制加热的均匀度。

6.根据权利要求1所述的一种融合SMT的MCM集成电路封装方法，其特征在于，在步骤S1中，将金属引线框架上料，使用钢网在金属引线框架上进行印刷，使用自动光学检测装置对钢网印刷后的金属引线框架进行合格筛选。

7.根据权利要求1所述的一种融合SMT的MCM集成电路封装方法，其特征在于，在步骤S3中，对安装有源器件和芯片后的金属引线框架进行键合处理。

8.根据权利要求5所述的一种融合SMT的MCM集成电路封装方法，其特征在于，控制加热头导热件的动态位置变化，并且构建其动态位置变化关于时间的函数，将该函数与不同刻度线位置作为自变量与其存热效率p（存）的函数做卷积运算，通过卷积运算计算一种更加均匀的热控制方式。