[发明专利]一种薄膜晶体管、阵列基板、显示面板和显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括衬底以及设置在所述衬底上的第一导电层、半导体层和第二导电层，所述半导体层包括有源区；

所述第一导电层包括栅极，所述第二导电层包括源极和漏极，所述第一导电层和所述第二导电层不同层；

所述栅极、所述源极和所述漏极中其中两个是共用电极，另外一个是分裂电极，所述分裂电极包括至少两个相互绝缘的子电极，每个所述共用电极和每个所述子电极在所述衬底上的垂直投影，均与所述有源区在所述衬底的垂直投影相交叠；

所述至少两个相互绝缘的子电极对应形成至少两个子薄膜晶体管，通过向任意一个子电极施加电压来分别控制任意一个子薄膜晶体管的导通或截止，进而调节所述薄膜晶体管的宽长比。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述共用电极和所述分裂电极在所述衬底上的垂直投影为闭环图形。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述共用电极和所述分裂电极在所述衬底上的垂直投影呈圆环型或多边环形。

4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述两个共用电极同层设置，且所述两个共用电极包括第一共用电极和第二共用电极；

所述第一共用电极在所述衬底上的垂直投影，包围所述第二共用电极在所述衬底上的垂直投影；所述薄膜晶体管还包括电极引出线，所述电极引出线的一端与所述第二共用电极电连接。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述电极引出线和所述第一共用电极同层设置，所述第一共用电极设置有开口，所述电极引出线的另一端与由所述开口引出。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述共用电极和所述分裂电极在所述衬底上的垂直投影为开环图形。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述共用电极和所述分裂电极在所述衬底上的垂直投影呈条形。

8.根据权利要求1-7任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极和所述源极为共用电极，所述漏极为所述分裂电极，所述漏极包括至少两个相互绝缘的子漏极；

或者，所述栅极和所述漏极为共用电极，所述源极为所述分裂电极，所述源极包括至少两个相互绝缘的子源极；

或者，所述源极和所述漏极为共用电极，所述栅极为所述分裂电极，所述栅极包括至少两个相互绝缘的子栅极。

9.根据权利要求1-7任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括绝缘层；

所述第一导电层、所述绝缘层、所述第二导电层和所述半导体层依次设置在所述衬底上；

或者，所述第一导电层、所述绝缘层、所述半导体层和所述第二导电层依次设置在所述衬底上；

或者，所述第二导电层、所述半导体层、所述绝缘层和所述第一导电层依次设置在所述衬底上；

或者，所述半导体层、所述第二导电层、所述绝缘层和所述第一导电层依次设置在所述衬底上。

10.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管为非晶硅薄膜晶体管、低温多晶硅薄膜晶体管、金属氧化物薄膜晶体管和有机薄膜晶体管中的任意一种。

11.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求1-10任一项所述的薄膜晶体管。