[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其具备：

半导体部；

第1电极，设置于上述半导体部的背面侧；

第2电极，设置于上述半导体部的表面侧；

第1控制电极，在上述半导体部与上述第2电极之间，配置于在上述半导体部设置的第1沟槽的内部，通过第1绝缘膜从上述半导体部电绝缘，通过第2绝缘膜从上述第2电极电绝缘；以及

第2控制电极，在上述半导体部与上述第2电极之间，配置于在上述半导体部设置的第2沟槽的内部，通过第3绝缘膜从上述半导体部电绝缘，通过第4绝缘膜从上述第2电极电绝缘，从上述第1控制电极电分离；

上述半导体部包括第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层、上述第1导电型的第3半导体层、上述第2导电型的第4半导体层、上述第2导电型的第5半导体层和上述第2导电型的第6半导体层；

上述第1控制电极及上述第2控制电极延展于上述第1半导体层中；

上述第2半导体层设置于上述第1半导体层与上述第2电极之间，隔着上述第1绝缘膜面对上述第1控制电极，隔着上述第3绝缘膜面对上述第2控制电极；

上述第3半导体层有选择地设置于上述第2半导体层与上述第2电极之间，与上述第1绝缘膜接触，与上述第2电极电连接；

上述第4半导体层有选择地设置于上述第2半导体层与上述第2电极之间，与上述第3绝缘膜接触，与上述第2电极电连接；

上述第5半导体层设置于上述第1半导体层与上述第1电极之间，与上述第1电极电连接；

上述第6半导体层设置于上述第1半导体层与上述第2控制电极之间，沿着上述第3绝缘膜延展。

2.如权利要求1所述的半导体装置，

上述第6半导体层具有从上述第3绝缘膜朝向上述第1半导体层的方向上的第1厚度；

上述第1厚度是使得通过在上述第2控制电极与上述第2电极之间施加电压、上述第1导电型的载流子集中在上述第1半导体层与上述第3绝缘膜的分界面，从而上述第6半导体层的整体反转为第1导电型的厚度。

3.如权利要求1所述的半导体装置，

上述第6半导体层将上述第3绝缘膜的位于上述第1半导体层中的部分的整体覆盖。

4.如权利要求1所述的半导体装置，

上述半导体部还包括设置于上述第1半导体层与上述第2半导体层之间的上述第1导电型的第7半导体层；

上述第7半导体层包含比上述第1半导体层的第1导电型杂质浓度高的第1导电型杂质；

上述第7半导体层的上述第1导电型杂质的浓度比上述第3半导体层的第1导电型杂质的浓度低。

5.如权利要求4所述的半导体装置，

上述第7半导体层具有第1区域、和包含比上述第1区域的第1导电型载流子的浓度低的第1导电型载流子的第2区域；

上述第2区域位于上述第1区域与上述第3绝缘膜之间，位于上述第2半导体层与上述第6半导体层之间。

6.如权利要求4所述的半导体装置，

上述第6半导体层位于上述第7半导体层与上述第3绝缘膜之间。

7.如权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，

还具备向上述第2电极和上述第1控制电极及上述第2控制电极分别施加控制电压的控制电路。