[发明专利]半导体装置、引线架以及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

一半导体晶片；

多个引线，设置在所述半导体晶片周围，各引线分别包括一顶面、一底面相反于所述顶面、一内侧邻近所述半导体晶片以及一外侧相反于所述内侧，且所述引线电连接于所述半导体晶片；以及

一密封层，形成为覆盖所述半导体晶片以及各所述引线的一部分，并使各所述引线的所述底面及所述外侧从所述密封层所暴露出；

其中，各所述引线分别包括一凹陷部形成在位于所述外侧的所述底面中以及一突出部形成在位于所述外侧的所述顶面中，且所述突出部形成为由所述引线的所述顶面朝向所述密封层突出。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，一镀层形成在各所述引线的所述底面与所述凹陷部中。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，各所述凹陷部形成为弧形或多边形。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，各所述引线位于所述外侧的部分的宽度大于位于所述内侧的部分的宽度。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，各所述凹陷部暴露在所述半导体装置的一外缘中。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，各所述引线的所述突出部包括一粗糙表面。

7.一种引线架，其特征在于，包括：

一外框；

一中央开口；

一晶粒垫，设置在所述中央开口之内；以及

多个引线，贴附于所述外框且朝向所述晶粒垫延伸，各引线包括一顶面、一底面相反于所述顶面、一内侧邻近所述晶粒垫以及一外侧相反于所述内侧；

其中，各所述引线分别包括一凹陷部形成在位于所述外侧的所述底面中以及一突出部形成在位于所述外侧的所述顶面中。

8.如权利要求7所述的引线架，其特征在于，各所述突出部高于所述晶粒垫。

9.如权利要求7所述的引线架，其特征在于，各所述引线的所述突出部相对于所述引线的所述底面形成小于90°的一倾斜角。

10.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

提供一引线架，所述引线架包括一晶粒垫及多个引线，各所述引线分别包括一顶面、一底面相反于所述顶面、一内侧邻近所述晶粒垫以及一外侧相反于所述内侧；

装载所述引线架到一下模具上，其中所述下模具包括多个间隙，所述多个间隙彼此以间隔关系设置；

由与所述下模具相反的一侧压制各所述引线，以形成一凹陷部及一突出部，其中各所述突出部朝向所述下模具的各所述间隙突出；

从所述引线架移除所述下模具；

安装一半导体晶片在所述晶粒垫上，且将所述半导体晶片电连接于所述多个引线；

形成一密封层在所述半导体晶片与各所述引线的一部分的上方，以形成一封装体，其中包含一模板以贴附在所述多个引线的所述多个底面；

从所述多个引线移除所述模板；

在所述多个引线的所述多个底面形成一镀层；以及

沿各所述凹陷部将所述封装体单体化，其中各所述凹陷部是藉由调整尺寸和设置位置，使得在所述单体化步骤后保留各所述凹陷部的一部分。