[发明专利]芯片封装方法及芯片封装结构有效
申请号: | 202010600939.7 | 申请日: | 2020-06-29 |
公开(公告)号: | CN111524924B | 公开(公告)日: | 2021-03-26 |
发明(设计)人: | 庞宏林;钟磊;李利 | 申请(专利权)人: | 甬矽电子(宁波)股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 唐正瑜 |
地址: | 315400 浙江省宁*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 封装 方法 结构 | ||
本申请提供一种芯片封装方法及芯片封装结构,涉及芯片封装技术领域。其中,芯片封装方法包括:提供一晶圆,所述晶圆包括多个晶片区域,每一所述晶片区域包括感光区域以及焊盘区域,所述焊盘区域设置有焊盘;在所述晶圆的上表面设置一透光膜层;将所述透光膜层的位于每一所述焊盘区域上的部分去除以露出每一所述焊盘区域的焊盘,从而得到一晶圆结构;对所述晶圆结构进行切割及封装操作,以得到多个芯片封装结构。本申请提供的芯片封装方法,相对于其他方式的封装方法,加工流程短,工艺控制难度低,得到的封装体厚度更薄,使用材料更少。
技术领域
本申请涉及芯片封装技术领域,具体而言,涉及一种芯片封装方法及芯片封装结构。
背景技术
CIS(Contact Image Sensor)又称接触式图像传感器,是一种新型线型图像传感器,是近几年来继CCD(Charge-coupled Device,电荷耦合器件)之后研究和开发的光电耦合器件。它可以对光学信号进行感知,并将其转换成承载图像信息的电子信号,作为这样一种处理电子器件,目前在市场上具有广泛的应用,如应用于智能终端、相机、扫描态势感知等方向。这种器件设计之初,为了提高产品的成像质量和实用性一般都是需要进行封装后再安装在终端设备之中。
目前传统的封装结构主要是通过在芯片的感光区上用一块玻璃进行透光密封,制造时需要在感光区四周用胶或者其他材质的材料做一个支撑结构,以便玻璃盖板与芯片之间存在一定的高度。但是现有的这种生产方式对于封装的要求过高,并且工序过于繁杂,对于批量生产时的质量和效率控制提出了新的挑战。
发明内容
本申请实施例的目的在于提供一种芯片封装方法及芯片封装结构,在进行芯片封装时,在感光区上方仅采用了一种材料,可以减少光线在界面间的折射次数,同时,由于只需要在感光区上方设置透光膜层,封装工序更加简单。
第一方面,本申请实施例提供一种芯片封装方法,所述方法包括:提供一晶圆,所述晶圆包括多个晶片区域,每一所述晶片区域包括感光区域以及焊盘区域,所述焊盘区域设置有焊盘;在所述晶圆的上表面设置一透光膜层;将所述透光膜层的位于每一所述焊盘区域上的部分去除以露出每一所述焊盘区域的焊盘,从而得到一晶圆结构;对所述晶圆结构进行切割及封装操作,以得到多个芯片封装结构。
本申请提供的芯片封装方法,相对于其他方式的封装方法,加工流程短,工艺控制难度低,使用材料更少,由于其仅在感光区域上方使用一种材料,相较于在感光区域上方设置多种材料的封装方式,能够有效减少光线在界面间的折射次数,感光效果更好。
在一种可能的实施方式中,所述对所述晶圆结构进行切割及封装操作,以得到多个芯片封装结构,包括:将所述晶圆结构切割分离成多个与晶片区域对应的晶片,利用导线将所述晶片上的焊盘连接到载板;在载板与导线之间涂抹胶水,并对胶水进行固化,以支撑和固定导线形成的线弧。
在一种可能的实施方式中,在所述晶圆的上表面设置一透光膜层之后,所述方法还包括:对晶圆的下表面进行减薄处理。
由于透光膜层是在进行晶圆减薄前固化在晶圆的上表面,所以在进行减薄操作时,晶圆可以减薄得更薄,从而,得到的芯片封装结构的厚度也会更薄,在投入应用后,如用于制造相机,将使制造得到的相机也会更薄。
在一种可能的实施方式中,所述在所述晶圆的上表面设置一透光膜层,包括:对晶圆的上表面进行覆膜处理,并对覆膜的材料进行固化,使膜表面贴合于所述上表面,形成透光膜层。
在一种可能的实施方式中,所述对覆膜的材料进行固化,包括:对覆膜的材料进行紫外固化或者烘烤固化,使覆膜的材料固化在所述上表面。
在一种可能的实施方式中,所述将所述透光膜层的位于每一所述焊盘区域上的部分去除以露出每一所述焊盘区域的焊盘,包括:利用激光测距确定透光膜层远离上表面的面到焊盘的距离,根据所述距离使用机械去除方式将焊盘区域上的透光膜层去除;或者,使用激光镭射方式将焊盘区域上的透光膜层去除。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的