[发明专利]半导体封装件在审

专利信息
申请号: 202010599860.7 申请日: 2020-06-28
公开(公告)号: CN112420628A 公开(公告)日: 2021-02-26
发明(设计)人: 金宣澈;吴琼硕;金泰勳;金坪完;李洙焕 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/367;H01L25/07
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 刘林果;尹淑梅
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装
【说明书】:

提供了一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:封装基底;第一半导体芯片,设置在封装基底上;至少一个第二半导体芯片,设置在第一半导体芯片的上表面的一个区域上;散热构件,设置在第一半导体芯片的上表面的另一区域和第二半导体芯片的上表面的至少一个区域中,并且具有形成有至少一个沟槽的上表面;以及模制构件,覆盖第一半导体芯片、第二半导体芯片、封装基底的上表面和散热构件的侧表面,并且填充所述至少一个沟槽并同时暴露散热构件的上表面。

于2019年8月22日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0103344号且发明名称为“半导体封装件”的韩国专利申请通过引用全部包含于此。

技术领域

实施例涉及一种半导体封装件。

背景技术

随着电子组件的高功能性和小型化的趋势,已经利用将具有各种功能的多个半导体芯片嵌入在单个封装件中的系统级封装件(system in package,SIP)技术来实现封装件的高性能和小型化。

发明内容

实施例涉及一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:封装基底;第一半导体芯片,设置在封装基底上;至少一个第二半导体芯片,设置在第一半导体芯片的上表面的一个区域上;散热构件,设置在第一半导体芯片的上表面的另一区域和第二半导体芯片的上表面的至少一个区域中,并且具有形成有至少一个沟槽的上表面;以及模制构件,覆盖第一半导体芯片、第二半导体芯片、封装基底的上表面和散热构件的侧表面,并且填充至少一个沟槽并同时暴露散热构件的上表面。

实施例涉及一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:封装基底;第一半导体芯片,设置在封装基底上;至少一个第二半导体芯片,设置在第一半导体芯片的上表面的一个区域上;绝缘层,设置在封装基底、第一半导体芯片和第二半导体芯片的表面上;散热构件,设置在绝缘层上,并且当从上方垂直于封装基底观看时设置为遍及至少第一半导体芯片不与第二半导体芯片叠置的区域和至少第一半导体芯片与第二半导体芯片叠置的区域,散热构件具有形成有至少一个沟槽的上表面;以及模制构件,设置在封装基底上,并且封装第一半导体芯片、第二半导体芯片和散热构件中的每者的至少一部分。

实施例涉及一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:封装基底;第一半导体芯片,设置在封装基底上;散热构件,设置在第一半导体芯片的上表面上,并且具有在一个方向上沿着散热构件的上表面延伸的沟槽;以及模制构件,填充沟槽。

附图说明

通过参照附图详细描述示例实施例,特征对本领域技术人员而言将变得明显,在附图中:

图1是根据示例实施例的半导体封装件的侧剖视图;

图2A是示出图1中的半导体封装件的局部构造的平面图;

图2B至图2D是示出根据示例实施例的沟槽的结构的平面图;

图3至图10是示出制造图1中的半导体封装件的方法的侧剖视图;

图11是示出当未形成沟槽时发生在对比散热构件中的裂纹的剖视图;

图12是示出根据示例实施例的半导体封装件的侧剖视图;

图13是示出图12中的半导体封装件的局部构造的平面图;

图14是根据示例实施例的半导体封装件的侧剖视图;

图15和图16是示出制造图14中的半导体封装件的方法的一部分的侧剖视图;

图17是根据示例实施例的半导体封装件的侧剖视图;

图18是根据示例实施例的半导体封装件的侧剖视图;以及

图19是根据示例实施例的半导体封装件的侧剖视图。

具体实施方式

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