[发明专利]半导体封装件在审
申请号: | 202010599860.7 | 申请日: | 2020-06-28 |
公开(公告)号: | CN112420628A | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
发明(设计)人: | 金宣澈;吴琼硕;金泰勳;金坪完;李洙焕 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/367;H01L25/07 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘林果;尹淑梅 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 | ||
1.一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:
封装基底;
第一半导体芯片,设置在所述封装基底上;
至少一个第二半导体芯片,设置在所述第一半导体芯片的上表面的一个区域上;
散热构件,设置在所述第一半导体芯片的上表面的另一区域和所述至少一个第二半导体芯片的上表面的至少一个区域中,并且具有形成有至少一个沟槽的上表面;以及
模制构件,覆盖所述第一半导体芯片、所述至少一个第二半导体芯片、所述封装基底的上表面和所述散热构件的侧表面,并且填充所述至少一个沟槽并同时暴露所述散热构件的上表面。
2.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述散热构件的上表面与填充所述至少一个沟槽的所述模制构件的上表面设置在同一水平上。
3.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,当从上方垂直于所述封装基底观看时,填充所述至少一个沟槽的所述模制构件的上表面的总面积相对于所述散热构件的暴露的上表面的总面积的比例为1:2至2:1。
4.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述至少一个沟槽在第一方向上沿着所述散热构件的上表面延伸。
5.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述至少一个沟槽包括:
第一沟槽,在第一方向上沿着所述散热构件的上表面延伸;以及
第二沟槽,在与所述第一方向不同的第二方向上沿着所述散热构件的上表面延伸。
6.根据权利要求5所述的半导体封装件,其中,当从上方垂直于所述封装基底观看时,所述第一沟槽和所述第二沟槽设置为彼此相交。
7.根据权利要求5所述的半导体封装件,其中,当从上方垂直于所述封装基底观看时,所述第一沟槽和所述第二沟槽设置为围绕所述第一半导体芯片的中心部分的网格。
8.根据权利要求1所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括设置在所述封装基底的表面、所述第一半导体芯片的表面和所述至少一个第二半导体芯片的表面上的绝缘层,
其中,所述绝缘层设置在所述封装基底的上表面、所述第一半导体芯片的上表面以及所述至少一个第二半导体芯片的上表面和侧表面上。
9.根据权利要求8所述的半导体封装件,其中,所述至少一个第二半导体芯片通过键合引线电连接到所述封装基底。
10.根据权利要求9所述的半导体封装件,其中,所述绝缘层设置在所述键合引线的表面上。
11.根据权利要求9所述的半导体封装件,其中,所述散热构件覆盖所述键合引线的一部分。
12.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中:
所述至少一个第二半导体芯片包括多个第二半导体芯片,
所述多个第二半导体芯片在所述第一半导体芯片的上表面的所述一个区域上彼此间隔开,并且
所述第一半导体芯片的上表面的所述另一区域设置在所述多个第二半导体芯片之间。
13.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中:
所述至少一个第二半导体芯片包括多个第二半导体芯片,并且
所述多个第二半导体芯片彼此堆叠在所述第一半导体芯片的上表面的所述一个区域中。
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