[发明专利]具有粘附促进剂的用于电子器件的无机包封剂在审
申请号: | 202010598119.9 | 申请日: | 2020-06-28 |
公开(公告)号: | CN112151465A | 公开(公告)日: | 2020-12-29 |
发明(设计)人: | E·里德尔;S·约尔丹;S·米特哈纳;S·施瓦布 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/29;H01L21/56;B81B7/02 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 周家新 |
地址: | 德国瑙伊*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 粘附 促进剂 用于 电子器件 无机 包封剂 | ||
1.一种封装体(100),所述封装体(100)包括:
·电子器件(104);
·包封所述电子器件(104)的至少一部分的无机包封剂(106);以及
·位于所述电子器件(104)的至少一部分与所述包封剂(106)之间的粘附促进剂(150)。
2.根据权利要求1所述的封装体(100),其中,所述包封剂(106)是陶瓷基包封剂或无机聚合物基包封剂。
3.根据权利要求1或2所述的封装体(100),其中,所述包封剂(106)包括由水泥、混凝土、石膏、灰浆、硅聚合物和铝聚合物组成的组中的至少一种。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的封装体(100),其中,所述粘附促进剂(150)是形态粘附促进剂、特别是多孔粘附促进剂。
5.根据权利要求4所述的封装体(100),其中,所述形态粘附促进剂(150)包括由金属结构,合金结构,合金氧化物结构,铬结构,钒结构,钼结构,锌结构,锰结构,钴结构,镍结构,铜结构,火焰沉积结构,粗糙化的金属结构、特别是粗糙化的铜结构或粗糙化的铝氧化物结构,以及所述结构的任何合金、合金氧化物、氧化物、氮化物、碳化物和硒化物组成的组中的至少一种。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的封装体(100),其中,所述粘附促进剂(150)是有机粘附促进剂。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的封装体(100),其中,所述粘附促进剂(150)具有多个开口(160)。
8.根据权利要求7所述的封装体(100),其中,所述开口(160)包括由孔、树枝状晶和图案化结构的岛之间的间隙组成的组中的至少一种。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的封装体(100),其中,所述粘附促进剂(150)的材料适于至少部分地补偿所述电子器件(104)的材料与所述包封剂(106)的材料的热膨胀系数之间的失配。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的封装体(100),其中,所述粘附促进剂(150)在所述包封剂(106)与所述电子器件(104)之间的界面区域中形成夹层(152)。
11.根据权利要求10所述的封装体(100),其中,所述封装体(100)包括以下特征中的至少一个:
·夹层(152)在包封剂(106)与电子器件(104)之间提供孔隙率的过渡,特别是连续过渡;
·夹层(152)的孔的至少一部分至少部分地填充有包封剂(106)的材料;
·夹层(152)具有在30nm至500nm之间的范围内、特别是50nm至200nm之间的范围内的厚度(d)。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的封装体(100),其中,所述封装体(100)包括之上安装有电子器件(104)的载体(102),其中,所述载体(102)至少部分地被包封在所述包封剂(106)中,其中,特别是载体(102)至少部分地被粘附促进剂(150')覆盖。
13.根据权利要求12所述的封装体(100),其中,所述封装体(100)包括将所述电子器件(104)与所述载体(102)电耦合的导电接触元件(110),其中,所述导电接触元件(110)至少部分地被包封在所述包封剂(106)中,其中,特别是导电接触元件(110)至少部分地被粘附促进剂(150”)覆盖。
14.根据权利要求1至13中任一项所述的封装体(100),其中,所述电子器件(104)包括由半导体芯片、特别是功率半导体芯片,有源电子器件,无源电子器件,传感器,致动器和微机电系统组成的组中的至少一个。
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