[发明专利]减小非型闪存过擦除现象的方法、系统、存储介质和终端

说明书

本发明公开了一种减小非型闪存过擦除现象的方法、系统、存储介质和终端，同时选中需要擦除区域内所有字线上的单元并对执行擦除操作；按照字线编号顺序逐一检查每根字线，判断当前的一根字线上的所有单元是否均擦除成功，若均擦除成功则继续下一条字线的检查；若当前检查的一根字线上有单元擦除不成功则对当前检查的这根字线上的单元执行再擦除操作，直至当前检查的一根字线上的所有单元均擦除成功后再继续下一条字线的检查；通过采用本方法，即使存在很难擦除的cell，需要多次擦除才能成功，那么在多次擦除的时候，也不会对其他字线上的cell有过擦除的举动，从而避免了其他字线上出现cell过擦除的现象。

技术领域

本发明涉及IC设计领域，尤其涉及的是一种减小非型闪存过擦除现象的方法、系统、存储介质和终端。

背景技术

Nor flash存储器有三种主要的操作，第一个为读操作（Read），第二个为写操作即编程操作（Program），第三个为擦除操作（Erase）。

传统的nor flash的擦除单元分为sector erase（扇形擦除），block erase（块擦除）和chip erase（全芯片擦除）。一个sector一般由4根或者8根字线构成，如图1所示。一个block通常由8个或者16个sector构成，如图2所示。传统的block erase擦除方法是在这个block中的所有sector所包含的所有字线同时被选中。以一个block由16个sector构成为例，在block erase过程中，会有4x16=64根字线会被同时选中，所有被选中的字线给-7v到-10v电压，source（源极）与bulk（漏极）相连给+7v到+10v电压，位线bl 1~bl n+1 float（浮空）。传统的block erase擦除方法，当擦了第一遍后，会紧接着检查擦除是否成功，只要这64根字线中的任意一根与之相连的cell被检测出擦除不通过，则这整个block会再次被擦除一遍，直到所有cell都擦除成功。当检查字线WL1、WL2、WL3……WL63这63根字线与之相连的cell都擦除成功了，但是检查字线WL64时没有通过，那么这整个block就需要再重新擦一遍，不管前面总共63根字线是否已经擦除成功，都要重新再擦。这样的擦除方法就会带来一个问题，由于个别cell一次或者多次擦除不成功，就会导致其他位于同一个block的擦除成功了的cell又被额外多擦除了几遍，这就很容易导致这些cell被过擦除，出现overerase现象。其中，sector erase的擦除与block erase擦除类似。

所以，针对norflash存储器的擦除操作，存在擦除过程中出现过擦除（overerase）的现象，被过擦除的cell（单元）相对于正常擦除的cell的Vth（阈值电压）降低到了0v甚至0v以下，出现负值。这就导致在正常情况下，当cell的gate端（栅极）给0v时，这个被过擦除的cell会有电流产生，这就会导致该cell所在的位线（Bitline）上的其他被编程为0的cell错读成1，导致读出的结果出错。

因此，现有的技术还有待于改进和发展。

发明内容

本发明的目的在于提供一种减小非型闪存过擦除现象的方法、系统、存储介质和终端，旨在解决现有的Nor flash存储器存在的过擦除现象，影响芯片操作的问题。

本发明的技术方案如下：

一种减小非型闪存过擦除现象的方法，其中，具体包括以下步骤：

S1：同时选中需要擦除的区域内的所有字线上的单元并对所有单元执行擦除操作；

S2：按照字线编号顺序，逐一检查擦除区域内的每根字线，判断当前检查的一根字线上的所有单元是否均擦除成功，若当前检查的一根字线上的所有单元均擦除成功则跳转至S2，若当前检查的一根字线上有单元擦除不成功则跳转至S3；

S3：对当前检查的一根字线执行再擦除操作，直至当前检查的一根字线上的所有单元均擦除成功后跳转至S2。