[发明专利]设置插入层以提升功率的体声波谐振器、滤波器及电子设备

说明书

本发明涉及一种体声波谐振器，包括基底；声学镜；底电极；顶电极；和压电层，其中：所述谐振器在顶电极的连接边还包括第一插入层，第一插入层在谐振器的厚度方向上设置在顶电极与基底之间，且所述声学镜的边缘在谐振器的横向方向上处于第一插入层的内端与外端之间；所述谐振器在顶电极的连接边还包括第一不导电介质层，第一不导电介质层在谐振器的厚度方向上设置在第一插入层与顶电极之间，所述第一不导电介质层的内端在横向方向上位于第一插入层的内端的内侧，所述第一不导电介质层的外端在横向方向上与第一插入层的外端齐平或者处于第一插入层的外端的外侧。本发明还涉及一种滤波器以及一种电子设备。

技术领域

本发明的实施例涉及半导体领域，尤其涉及一种体声波谐振器，一种具有该谐振器的滤波器，以及一种电子设备。

背景技术

随着当今无线通讯技术的飞速发展，小型化便携式终端设备的应用也日益广泛，因而对于高性能、小尺寸的射频前端模块和器件的需求也日益迫切。近年来，以例如为薄膜体声波谐振器(Film Bulk Acoustic Resonator，简称FBAR)为基础的滤波器、双工器等滤波器件越来越为市场所青睐。一方面是因为其插入损耗低、过渡特性陡峭、选择性高、功率容量高、抗静电放电(ESD)能力强等优异的电学性能，另一方面也是因为其体积小、易于集成的特点所致。

体声波谐振器的高频化和高功率化是发展趋势。但是，随着谐振器的频率不断增大，谐振器的底电极的厚度会逐渐变小，这导致随着谐振器的功率容量的提升，容易出现谐振器的膜层因为机械疲劳而失效的情况，从而阻止了谐振器功率的进一步提升。

发明内容

本发明通过增大谐振器的声学镜边缘的局部膜层厚度，来增大谐振器的功率容量。

根据本发明的实施例的一个方面，提出了一种体声波谐振器，包括：

基底；

声学镜；

底电极；

顶电极；和

压电层，

其中：

所述谐振器在顶电极的连接边还包括第一插入层，第一插入层在谐振器的厚度方向上设置在顶电极与基底之间，且所述声学镜的边缘在谐振器的横向方向上处于第一插入层的内端与外端之间；

所述谐振器在顶电极的连接边还包括第一不导电介质层，第一不导电介质层在谐振器的厚度方向上设置在第一插入层与顶电极之间，所述第一不导电介质层的内端在横向方向上位于第一插入层的内端的内侧，所述第一不导电介质层的外端在横向方向上与第一插入层的外端齐平或者处于第一插入层的外端的外侧。

可选的，所述谐振器还包括第一不导电介质层，第一不导电介质层在顶电极的连接边在谐振器的厚度方向上设置在第一插入层与顶电极之间，所述第一不导电介质层的内端在横向方向上与所述第一插入层的内端齐平或者位于第一插入层的内端的内侧，所述第一不导电介质层的外端在横向方向上与第一插入层的外端齐平或者处于第一插入层的外端的外侧。

本发明的实施例也涉及一种滤波器，包括上述体声波谐振器。

本发明的实施例还涉及一种电子设备，包括上述的滤波器或者谐振器。

附图说明

以下描述与附图可以更好地帮助理解本发明所公布的各种实施例中的这些和其他特点、优点，图中相同的附图标记始终表示相同的部件，其中：

图1A为现有技术中的体声波谐振器的俯视示意图；

图1B为根据本发明的一个示例性实施例的体声波谐振器的俯视示意图；

图2为沿图1A中的A-A’截得的示例性截面图；

图3为沿图1B中的B-B’截得的示例性截面图；