[发明专利]一种导电膜层、导电膜层制备方法及显示装置有效
申请号: | 202010596512.4 | 申请日: | 2020-06-28 |
公开(公告)号: | CN111613629B | 公开(公告)日: | 2022-09-09 |
发明(设计)人: | 黄建龙 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 李新干 |
地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 导电 制备 方法 显示装置 | ||
本申请实施例提供一种导电膜层、导电膜层制备方法及显示装置,导电膜层制备方法首先提供一基板,所述基板具有相对设置的第一面和第二面,在所述第一面形成第一金属层和第二金属层,所述第一金属层位于所述第一面,所述第二金属层位于所述第二金属层远离所述第一金属层的一面,在所述第二金属层远离所述基板的一面形成第三金属层,所述第三金属覆盖所述第二金属层边缘并与所述第一金属层接触。本申请通过第一金属层可以将中间层的第二金属层完全包裹,避免有光的折射,从而根本上解决第二金属层的侧向蚀刻引起的黑阶条纹。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体涉及一种导电膜层、导电膜层制备方法及显示装置。
背景技术
面板行业中,SD是信号传输的通道,一般采用TI/Al/Ti三层架构,其中下层Ti与Poly-Si相接因为Ti的势垒比较低可以形成很好的欧姆接触。中间Al为SD主体,Al的导电性比较好,信号可以快速传输,上层Ti一方面可以起到保护主体Al的作用减少氧化,另一方面Ti可以阻止Al在加热时出现凸起导致搭接异常的问题。随着手机性能的不断提升,需求SD越来越小的阻抗,增加SD层Al的厚度是目前的主要方式。SD是三层金属在同一道制程中依次成膜形成,由于Ti/蚀刻速度慢于Al,因此SD会形成侧向蚀刻,由于光的折射在点灯时出现黑阶条纹。
发明内容
本申请实施例提供一种导电膜层、导电膜层制备方法及显示装置,能够避免出现黑阶条纹。
本申请实施例提供一种导电膜层的制备方法,包括:
提供一基板,所述基板具有相对设置的第一面和第二面;
在所述第一面形成第一金属层和第二金属层,所述第一金属层位于所述第一面,所述第二金属层位于所述第二金属层远离所述第一金属层的一面;
在所述第二金属层远离所述基板的一面形成第三金属层,所述第三金属覆盖所述第二金属层边缘并与所述第一金属层接触。
在一些实施例中,所述在所述第一面形成第一金属层和第二金属层之后,包括:
对所述第一金属层和第二金属层进行蚀刻。
在一些实施例中,所述在所述第二金属层远离所述基板的一面形成第三金属层之后,包括:
对所述第三金属层进行蚀刻。
在一些实施例中,所述对所述第三金属层进行蚀刻之后,包括:
在所述第三金属层远离所述基板的一侧设置遮光层,所述遮光层遮挡住所述第二金属层两侧的反射光。
在一些实施例中,所述第一金属层和第三金属层采用的材料为钛,所述第二金属层采用的材料为铝。
在一些实施例中,所述第二金属层的厚度为4500A至5500A。
本申请实施例还提供一种导电膜层,包括:
第一金属层,具有相对设置的第一面和第二面;
第二金属层,设置在所述第一面;
第三金属层,设置在所述第二金属层远离所述第一金属层的一面,且所述第三金属覆盖所述第二金属层边缘并与所述第一金属层接触。
在一些实施例中,所述第一金属层和第三金属层采用的材料为钛,所述第二金属层采用的材料为铝。
在一些实施例中,所述第二金属层的厚度为4500A至5500A。
本申请实施例提供一种显示装置,包括以上所述的导电膜层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的