[发明专利]一种导电膜层、导电膜层制备方法及显示装置有效
| 申请号： | 202010596512.4 | 申请日： | 2020-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN111613629B | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 黄建龙 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 李新干 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 导电 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种导电膜层的制备方法，其特征在于，包括：
提供一基板，所述基板具有相对设置的第一面和第二面；
在所述第一面形成第一金属层和第二金属层，所述第一金属层位于所述第一面，所述第二金属层位于所述第二金属层远离所述第一金属层的一面；
在所述第二金属层远离所述基板的一面形成第三金属层，所述第三金属层覆盖所述第二金属层边缘并与所述第一金属层接触；
在所述第一面形成所述第一金属层和所述第二金属层之后，对所述第一金属层和所述第二金属层进行蚀刻，所述第二金属层的刻蚀速度大于所述第一金属层，形成所述第二金属层比所述第一金属层窄；
在所述第二金属层远离所述基板的一面形成第三金属层之后，对所述第三金属层进行蚀刻；
对所述第三金属层进行蚀刻之后，在所述第三金属层远离所述基板的一侧设置遮光层，所述遮光层遮挡住所述第二金属层两侧的反射光；
其中，所述第二金属层以及所述第三金属层的横截面形状为梯形。
2.根据权利要求1所述的导电膜层的制备方法，其特征在于，所述第一金属层和第三金属层采用的材料为钛，所述第二金属层采用的材料为铝。
3.根据权利要求1所述的导电膜层的制备方法，其特征在于，所述第二金属层的厚度为4500A至5500A。
4.一种导电膜层，其特征在于，包括：
第一金属层，具有相对设置的上表面和下表面；
第二金属层，设置在所述上表面，所述第二金属层比所述第一金属层窄；
第三金属层，设置在所述第二金属层远离所述第一金属层的一面，且所述第三金属层覆盖所述第二金属层边缘并与所述第一金属层接触；
遮光层，所述遮光层设置在所述第三金属层远离基板的一侧；
其中，所述第二金属层以及所述第三金属层的横截面形状为梯形。
5.根据权利要求4所述的导电膜层，其特征在于，所述第一金属层和第三金属层采用的材料为钛，所述第二金属层采用的材料为铝。
6.根据权利要求4所述的导电膜层，其特征在于，所述第二金属层的厚度为4500A至5500A。
7.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求4至6任一项所述的导电膜层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
