[发明专利]半导体器件

说明书

本申请涉及一种半导体器件，包括：半导体衬底以及形成于半导体衬底上的有源区，有源区包括沟道区、形成于沟道区上的栅极结构以及形成于沟道区两侧的源区和漏区；层间介质层，形成于有源区上；顶层金属层，位于层间介质层上并通过接触孔与有源区电连接；钝化层，位于顶层金属上，钝化层包括富氧硅层和叠设于富氧硅层上的富硅氮化硅层，其中，富氧硅层的厚度范围为富氧硅层的折射率范围为1.67～1.70。上述半导体器件，将富氧硅的厚度调整至范围内，并将其折射率调整至1.67～1.70范围内，可以在不增加额外操作便能提升半导体器件的HTRB稳定性。

技术领域

本申请涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体器件。

背景技术

半导体制造中，在金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)生产出来以后一般不会立即投入使用，而是要利用相关的可靠性试验对该MOS管的可靠性以及实际使用寿命进行测试。其中MOS管的高温反偏(High Temperature Reverse Bias，HTRB)特性是MOS管的一项非常重要的可靠性项目，其反映了MOS管在高温下的PN结反向击穿特性。

目前，基于CSMC高压BCD G3S-SM平台的500V横向双扩散金属氧化物半导体场效应管(LDMOS)的HTRB的稳定性非常差，且有失效问题，对终端应用及客户的市场推广带来不利影响。

发明内容

基于此，有必要针对目前LDMOS的HTRB稳定性差的技术问题，提出一种新的半导体器件。

一种半导体器件，包括：

半导体衬底以及形成于所述半导体衬底上的有源区，所述有源区包括沟道区、形成于沟道区上的栅极结构以及形成于所述沟道区两侧的源区和漏区，所述沟道区具有第一导电类型，所述源区和漏区具有第二导电类型；

层间介质层，形成于所述有源区上；

顶层金属层，位于所述层间介质层上并通过接触孔与所述有源区电连接；

钝化层，位于所述顶层金属上，所述钝化层包括富氧硅层和叠设于所述富氧硅层上的富硅氮化硅层，其中，所述富氧硅层的厚度范围为所述富氧硅层的折射率范围为67～70。

在其中一个实施例中，所述富氧硅层的厚度为所述富氧硅层的折射率为67。

在其中一个实施例中，所述富硅氮化硅层的厚度范围为所述富硅氮化硅层的折射率范围为2.17～2.23。

在其中一个实施例中，所述半导体器件基于CSMC高压BCD平台制备而成。

在其中一个实施例中，所述半导体器件的击穿电压大于或等于500V。

在其中一个实施例中，所述半导体器件为LDMOS。

在其中一个实施例中，所述半导体衬底具有第一导电类型，所述有源区还包括：

漂移区，具有第二导电类型，形成于所述半导体衬底上，所述漏区形成于所述漂移区内；

体区，具有第一导电类型，与所述漂移区并排设置于所述半导体衬底上；

阱区，具有第一导电类型，形成于所述体区内且阱区的掺杂浓度大于所述体区的掺杂浓度，所述源区形成于所述阱区内，所述沟道区包括位于所述源区和所述漂移区之间的所述阱区和体区。

在其中一个实施例中，所述漏区和所述体区之间的漂移区上形成有场氧，所述栅极结构延伸至所述场氧上。