[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202010595375.2 | 申请日： | 2020-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN113851427A | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 冒义祥;张兰;严晓芬;周俊芳 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L23/31;H01L29/78 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 姚姝娅 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
半导体衬底以及形成于所述半导体衬底上的有源区，所述有源区包括沟道区、形成于沟道区上的栅极结构以及形成于所述沟道区两侧的源区和漏区，所述沟道区具有第一导电类型，所述源区和漏区具有第二导电类型；
层间介质层，形成于所述有源区上；
顶层金属层，位于所述层间介质层上并通过接触孔与所述有源区电连接；
钝化层，位于所述顶层金属上，所述钝化层包括富氧硅层和叠设于所述富氧硅层上的富硅氮化硅，其中，所述富氧硅层的厚度范围为所述富氧硅层的折射率范围为1.67～1.70。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述富氧硅层的厚度为所述富氧硅层的折射率为1.67。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述富硅氮化硅的厚度范围为所述富硅氮化硅的折射率范围为2.17～2.23。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件基于CSMC高压BCD平台制备而成。
5.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件的击穿电压大于或等于500V。
6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件为LDMOS。
7.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体衬底具有第一导电类型，所述有源区还包括：
漂移区，具有第二导电类型，形成于所述半导体衬底上，所述漏区形成于所述漂移区内；
体区，具有第一导电类型，与所述漂移区并排设置于所述半导体衬底上；
阱区，具有第一导电类型，形成于所述体区内且阱区的掺杂浓度大于所述体区的掺杂浓度，所述源区形成于所述阱区内，所述沟道区包括位于所述源区和所述漂移区之间的所述阱区和体区。
8.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述漏区和所述体区之间的漂移区上形成有场氧，所述栅极结构延伸至所述场氧上。
9.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述顶层金属层包括源极金属条和栅极金属条，所述层间介质层包括第一层介质层和第二介质层，所述第一介质层和所述第二介质层之间夹设有中间金属层，所述中间金属层包括覆盖所述漏区且与所述漏区电连接的第一金属场板、覆盖部分所述场氧并与所述栅极结构电连接的第二金属场板，所述第一金属场板与所述漏极金属条电连接，所述第二金属场板与所述栅极金属条电连接。
10.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述场氧下方的漂移区内形成有掺杂区，所述掺杂区具有第一导电类型。
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