[发明专利]限流保护电路

说明书

本发明公开了限流保护电路，包括功率电路供电电源、功率芯片和功率芯片供电电源，所述功率芯片的EN脚连接上拉电阻，还包括功率MOS管，所述功率芯片的输出脚通过电阻一与功率MOS管的栅极相连；所述功率MOS管与功率负载串联形成支路，所述支路两端与功率电路供电电源的正负极连接。本发明的有益效果是，有效避免额外功率算好，提高限流保护效果。

技术领域

本发明涉及保护电路设计领域，特别是限流保护电路。

背景技术

过电流是功率电路中常见的故障，过电流发生时容易损坏功率管，因此限流功能已成为功率电路中必不可少的保护措施。当前最常用的限流电路原理是依靠外加采样电阻来实现，利用工作电流流过采样电阻产生的压降作为反馈信号，反馈到比较器，比较器比较基准电压和反馈电压产生控制信号，进而通过逻辑电路控制功率器件的通断来实现限流作用。然而，上述方案会在采样电阻上消耗额外的功率，降低了系统效率。

发明内容

本发明的目的是为了解决上述问题，设计了限流保护电路。

实现上述目的本发明的技术方案为，限流保护电路，包括功率电路供电电源、功率芯片和功率芯片供电电源，所述功率芯片的EN脚连接上拉电阻，还包括功率MOS管，所述功率芯片的输出脚通过电阻一与功率MOS管的栅极相连；所述功率MOS管与功率负载串联形成支路，所述支路两端与功率电路供电电源的正负极连接；

还包括电阻二、电阻三、三极管二，电阻四、电阻五、三极管三；

所述三极管二的基极通过电阻二与功率芯片的Output脚相连，三极管二的集电极与功率芯片的EN脚相连；

所述三极管三的集电极与三极管二的发射极连接，所述三极管三的基极通过电阻四与功率MOS管连接，电阻三的一端与三极管二的基极连接，另一端与功率芯片的GND脚连接，所述电阻五的一端与三极管三的基极连接，另一端与功率芯片的GND脚连接。

所述三极管二的基极电平(V_Q2)取决于功率芯片的Output脚电平(V_out)、电阻二和电阻三及三极管三的集电极-射极电压V_CEQ3，计算公式为：V_Q2＝V_out×R3/(R3+R2)-V_CEQ3；其中：V_Q2为三极管二(Q2)的基极电平，R2为电阻二，R3为电阻三。

所述三极管三的基极电平(V_Q3)取决于功率MOS管的源极与漏极的电压差(ΔV_Q1)及电阻R4和R5，计算公式为：V_Q3＝ΔV_Q1×R5/(R4+R5)；其中，ΔV_Q1：功率MOS管(Q1)源极-漏极电压差，V_Q3为三极管三(Q3)的基极电平；R4为电阻四，R5为电阻五。

所述功率MOS管关断，则功率芯片的Output脚电平为低电平，所以三极管二的基极电压为低电平，所述三极管二截止，所述三极管三的集电极电流为0。

所述功率MOS管导通，工作电流I在规定范围内，则三极管三处于截止状态，三极管二也处于截止状态。

所述功率MOS管导通，工作电流I超出规定范围，则三极管三导通，三极管二导通，功率芯片关闭，功率MOS管关闭。

有益效果

利用本发明的技术方案制作的限流保护电路，可以有效降低因采样电阻造成的额外功率消耗，提高系统的反应效率，保证电路的保护效果。

附图说明

图1是本发明所述限流保护电路的电路图；