[发明专利]限流保护电路有效
| 申请号： | 202010594702.2 | 申请日： | 2020-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN111817263B | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 孙志义;于立华;张健 | 申请（专利权）人： | 北京博纳电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H02H7/20 | 分类号： | H02H7/20;H02H3/08;H02H3/087 |
| 代理公司： | 北京兆君联合知识产权代理事务所(普通合伙) 11333 | 代理人： | 郑学成 |
| 地址： | 102208 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 限流 保护 电路 | ||
1.限流保护电路，包括功率电路供电电源(U)、功率芯片(Driver IC)和功率芯片供电电源(VCC)，其特征在于，还包括功率MOS管(Q1)，所述功率芯片的EN脚连接上拉电阻(R6)，所述功率芯片的输出脚通过电阻一(R1)与功率MOS管的栅极相连；所述功率MOS管与功率负载(RL)串联形成支路，所述支路两端与功率电路供电电源的正负极连接；
还包括电阻二(R2)、电阻三(R3)、三极管二(Q2)，电阻四(R4)、电阻五(R5)、三极管三(Q3)；
所述三极管二的基极通过电阻二与功率芯片的Output脚相连，三极管二的集电极与功率芯片的EN脚相连；
所述三极管三的集电极与三极管二的发射极连接，所述三极管三的基极通过电阻四与功率MOS管连接，电阻三的一端与三极管二的基极连接，另一端与功率芯片的GND脚连接，所述电阻五的一端与三极管三的基极连接，另一端与功率芯片的GND脚连接。
2.根据权利要求1所述的限流保护电路，其特征在于，所述三极管二的基极电平(VQ2)取决于功率芯片的Output脚电平(Vout)、电阻二和电阻三及三极管三的集电极-射极电压VCEQ3，计算公式为：VQ2＝Vout×R3/(R3+R2)-VCEQ3，其中：VQ2为三极管二(Q2)的基极电平，R2为电阻二，R3为电阻三。
3.根据权利要求1所述的限流保护电路，其特征在于，所述三极管三的基极电平(VQ3)取决于功率MOS管的源极与漏极的电压差(ΔVQ1)及电阻R4和R5，计算公式为：VQ3＝ΔVQ1×R5/(R4+R5)，其中，ΔVQ1：功率MOS管(Q1)源极-漏极电压差，VQ3为三极管三(Q3)的基极电平；R4为电阻四，R5为电阻五。
4.根据权利要求1所述的限流保护电路，其特征在于，所述功率MOS管关断，则功率芯片的Output脚电平为低电平，所以三极管二的基极电压为低电平，所述三极管二截止，所述三极管三的集电极电流为0。
5.根据权利要求1所述的限流保护电路，其特征在于，所述功率MOS管导通，工作电流I在规定范围内，则三极管三处于截止状态，三极管二也处于截止状态。
6.根据权利要求1所述的限流保护电路，其特征在于，所述功率MOS管导通，工作电流I超出规定范围，则三极管三导通，三极管二导通，功率芯片关闭，功率MOS管关闭。
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