[发明专利]液体供应单元和基板处理装置在审
申请号: | 202010592248.7 | 申请日: | 2020-06-24 |
公开(公告)号: | CN112151413A | 公开(公告)日: | 2020-12-29 |
发明(设计)人: | 梁承太;郑富荣;赵乘桓 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 王皓 |
地址: | 韩国忠清南道天安*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液体 供应 单元 处理 装置 | ||
本发明构思涉及液体供应单元和基板处理装置。根据一实施方式,基板处理装置包括:壳体,其在其中具有工艺空间;支承单元,其在所述壳体中支承所述基板;喷嘴,其将处理液体分配到支承在所述支承单元上的所述基板上;和液体供应单元,其将所述处理液体供应到所述喷嘴,其中,所述液体供应单元包括:容器,其具有存储空间,所述处理液体存储在所述存储空间中;液体供应管,其使所述处理液体从所述容器流至所述喷嘴;和微波施用构件,其在所述处理液体被供应到喷嘴之前、将微波施用至所述处理液体。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年6月27日提交的、申请号为10-2019-0076767的韩国专利申请的优先权和权益,其全部内容通过引用结合在本申请中。
技术领域
本文描述的本发明构思的实施方式涉及用于处理基板的装置和方法,更具体地,涉及用于通过将液体分配到基板上来处理基板的基板处理装置和方法。
背景技术
为了制造半导体元件,在基板上执行各种工艺,例如光刻、沉积、灰化、蚀刻和离子注入等。在这些工艺之前和之后,执行清洁工艺以清洁残留在基板上的颗粒。
使用各种类型的清洁溶液执行清洁工艺。在用于基板清洁工艺的清洁溶液中,异丙醇(以下称为“IPA”)由于其低表面张力而广泛用于清洁基板。
使用IPA的基板清洁装置包括IPA供应单元和清洁单元。IPA供应单元包括中央化学品供应系统(central chemical supply system,CCSS)。例如,中央化学品供应系统包括各种类型的化学品罐和供应管线,供应管线用于从化学品罐向清洁单元供应IPA。
通过将加压气体(例如氮气)供应到化学品罐中,将化学品罐中的IPA供应到清洁单元,并且为了升高IPA的温度,将加热器插入化学品罐或供应管线中。加热丝主要用作加热器。清洁单元通过将从IPA供应单元供应的IPA分配到基板上来去除基板上的异物。
然而,如上所述的基板清洁装置具有的问题在于,IPA中的杂质和IPA的温度难以控制。
例如,当基板清洁工艺不在基板清洁装置中执行时,由于用于将IPA供应到清洁单元的供应管线中的IPA的停滞,可能产生有机杂质。此外,在加热器位于供应管线中或用于储存IPA的罐中的情况下,加热器可能会污染IPA。
在有机杂质或被污染的IPA中,存在未被安装在供应管线中的过滤器过滤的颗粒,并且当包含颗粒的IPA被分配到基板上时,颗粒粘附到基板,使得基板不能被有效地清洁。
在加热器包括加热丝的情况下,需要相当长的时间来升高IPA的温度。此外,很难将期望温度的IPA分配到基板上。例如,当IPA沿着供应管线移动时,IPA的温度逐渐降低,并且温度低于设定温度的IPA被分配到基板上。
当IPA中包含颗粒或者IPA的温度不够高时,基板清洁效率降低。
发明内容
本发明构思的实施方式提供了一种用于提高清洁效率的基板处理装置和方法。
本发明构思的实施方式提供了一种用于有效去除清洁溶液中杂质的基板处理装置和方法。
本发明构思的实施方式提供了一种用于在短时间内将清洁溶液的温度升高到所需温度的基板处理装置和方法。
本发明构思要解决的技术问题不限于上述问题,并且本发明构思所属领域的技术人员从以下描述中将清楚地理解本文未提及的任何其他技术问题。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造