[发明专利]液体供应单元和基板处理装置在审
| 申请号: | 202010592248.7 | 申请日: | 2020-06-24 |
| 公开(公告)号: | CN112151413A | 公开(公告)日: | 2020-12-29 |
| 发明(设计)人: | 梁承太;郑富荣;赵乘桓 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 王皓 |
| 地址: | 韩国忠清南道天安*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 液体 供应 单元 处理 装置 | ||
1.一种用于处理基板的装置,所述装置包括:
壳体,其在其中具有工艺空间;
支承单元,其配置为在所述壳体中支承所述基板;
喷嘴,其配置为将处理液体分配到支承在所述支承单元上的所述基板上;和
液体供应单元,其配置为将所述处理液体供应到所述喷嘴,
其中,所述液体供应单元包括:
容器,其具有存储空间,所述处理液体存储在所述存储空间中;
液体供应管,其配置为使所述处理液体从所述容器流至所述喷嘴;和
微波施用构件,其配置为在所述处理液体被供应到所述喷嘴之前、将微波施用至所述处理液体。
2.根据权利要求1所述的装置,所述装置还包括:
过滤器,其安装在所述液体供应管中,以从待供应到所述喷嘴的所述处理液体中过滤杂质。
3.根据权利要求2所述的装置,其中,所述微波施用构件设置在所述过滤器的上游,以凝结所述处理液体中的所述杂质。
4.根据权利要求2所述的装置,其中,在所述液体供应管中,在所述过滤器的上游安装有阀,且所述微波施用构件安装在所述阀的下游。
5.根据权利要求2所述的装置,其中,在所述液体供应管中,在所述过滤器的上游安装有泵,且所述微波施用构件安装在所述泵的下游。
6.根据权利要求2所述的装置,其中,在所述液体供应管中,在所述过滤器的上游安装有流量计,且所述微波施用构件安装在所述流量计的下游。
7.根据权利要求2所述的装置,其中,所述微波施用构件设置在所述过滤器的下游,以加热所述处理液体。
8.根据权利要求7所述的装置,其中,所述微波施用构件邻近所述喷嘴来设置。
9.根据权利要求1所述的装置,其中,所述微波施用构件安装在所述容器中,以将所述微波施用到所述容器中的所述处理液体。
10.根据权利要求8所述的装置,所述装置还包括:
盖,其设置在所述容器中并配置为围绕所述微波施用构件,其中所述盖由所述微波能够透过的材料形成,
其中,所述容器由所述微波不能透过的材料形成,并且配置为阻止所述微波向所述容器的外部的发射。
11.根据权利要求1至8中任一项所述的装置,其中,所述微波施用构件安装在所述液体供应管中。
12.根据权利要求1所述的装置,其中,所述微波施用构件包括:
第一微波施用构件,其配置为施用第一微波以凝结所述处理液体中的杂质;和
第二微波施用构件,其配置为施用第二微波以加热所述处理液体,并且
其中,所述第二微波施用构件提供具有比所述第一微波施用构件低的输出的微波。
13.根据权利要求12所述的装置,所述装置还包括:
过滤器,其安装在所述液体供应管中,以从待供应到所述喷嘴的所述处理液体中过滤杂质,
其中,所述第一微波施用构件设置在所述过滤器的上游,并且所述第二微波施用构件设置在所述过滤器的下游。
14.根据权利要求13所述的装置,其中,在所述液体供应管中,在所述过滤器的上游安装有阀,且所述第一微波施用构件安装在所述阀的下游。
15.根据权利要求13所述的装置,其中,在所述液体供应管中,在所述过滤器的上游安装有泵,且所述第一微波施用构件安装在所述泵的下游。
16.根据权利要求13所述的装置,其中,在所述液体供应管中,在所述过滤器的上游安装有流量计,且所述第一微波施用构件安装在所述流量计的下游。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





