[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、移位寄存器和栅极驱动电路

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

至少一个有源层图形，所述有源层图形包括：第一导体化图形、第二导体化图形以及位于所述第一导体化图形和所述第二导体化图形之间的半导体图形；

栅极，位于所述有源层图形的一侧且与所述有源层图形之间绝缘；

第一极和第二极，位于所述栅极背向所述有源层图形，分别与所述第一导体化图形和所述第二导体化图形电连接；

至少一个所述有源层图形中的半导体图形配置有对应的导电屏蔽图形，所述导电屏蔽图形位于所述半导体图形背向所述栅极的一侧且与所述第一极电连接，所述导电屏蔽图形与所述半导体图形之间设置有缓冲层；

所述导电屏蔽图形在其所对应的所述半导体图形所处平面上的正投影，至少部分覆盖其所对应的所述半导体图形。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述导电屏蔽图形在其所对应的所述半导体图形所处平面上的正投影，完全覆盖其所对应的所述半导体图形。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述导电屏蔽图形在其所对应的所述半导体图形所处平面上的正投影，还覆盖其所对应的所述半导体图形所连接的第二导体化图形的至少部分区域。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述导电屏蔽图形的材料为导电遮光材料。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述导电遮光材料包括金属材料。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，配置有所述导电屏蔽图形的半导体图形，其所连接的第一导体化图形与其所配置的导电屏蔽图形通过缓冲层上的过孔连接。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层图形的数量为多个，多个所述有源层图形沿第一预设方向排布；

所述栅极、所述第一极和所述第二极均沿所述第一预设方向延伸，所述第一极与多个所述有源层图形中的第一导体化图形电连接，所述第二极与多个所述有源层图形中的第二导体化图形电连接。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一极、所述第二极、所述栅极均为梳状电极；

所述第一极包括：沿第二预设方向排布的多个第一梳齿部和与各所述第一梳齿部的第一端连接的第一连接部，所述第二极包括：沿第二预设方向排布的多个第二梳齿部和与各所述第二梳齿部的第二端连接的第二连接部，所述栅极包括：沿第二预设方向排布的多个第三梳齿部和与各所述第三梳齿部的第二端连接的第三连接部，所述第一梳齿部、所述第二梳齿部和所述第三梳齿部均沿第三预设方向延伸；

所述第一梳齿部与所述第二梳齿部在所述第二预设方向上交替设置，每相邻的1个所述第一梳齿部和1个所述第二梳齿部限定出对应的1个有源层图形布置区，所述有源层图形布置区内设置有1个第三梳齿部以及沿第二方向排布的多个有源层图形，所述有源层图形中的第一导体化图形与对应的所述第一梳齿部连接，所述有源层图形中的第二导体化图形与对应的所述第二梳齿部连接。

9.根据权利要求1-8中任一所述的薄膜晶体管，其特征在于，每个所述有源层图形中的半导体图形均配置有对应的导电屏蔽图形。

10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管，其特征在于，多个所述有源层图形中的半导体图形所配置多个所述导电屏蔽图形连接为一体。

11.一种移位寄存器，其特征在于，包括：如上述权利要求1-10中任一所述的薄膜晶体管。

12.根据权利要求11所述的移位寄存器，其特征在于，包括：恒压供给晶体管，所述恒压供给晶体管的控制极与控制信号端电连接，所述恒压供给晶体管的第一极与恒压信号输入端连接，所述下拉晶体管的第二极与待供给信号端连接；

所述恒压供给晶体管采用所述薄膜晶体管。