[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、移位寄存器和栅极驱动电路

说明书

本公开提供了一种薄膜晶体管，包括：至少一个有源层图形，有源层图形包括：第一导体化图形、第二导体化图形以及位于第一导体化图形和第二导体化图形之间的半导体图形；栅极，位于有源层图形的一侧且与有源层图形之间绝缘；第一极和第二极，位于栅极背向有源层图形，分别与第一导体化图形和第二导体化图形电连接；至少一个有源层图形中的半导体图形配置有对应的导电屏蔽图形，导电屏蔽图形位于半导体图形背向栅极的一侧且与第一极电连接，导电屏蔽图形与半导体图形之间设置有缓冲层；导电屏蔽图形在其所对应的半导体图形所处平面上的正投影，至少部分覆盖其所对应的半导体图形。

技术领域

本发明涉及显示领域，特别涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、移位寄存器和栅极驱动电路。

背景技术

现有技术中采用阵列基板行驱动(Gate Driver on Array，简称GOA)技术将薄膜场效应晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)开关电路集成在阵列基板上，以形成对显示面板的扫描驱动，从而可以省掉栅极驱动IC的部分。

目前，GOA电路中的部分TFT的正偏压温度应力(Positive Bias TemperatureStress，简称PBTS)性能较差，为使得TFT的PBTS性能提升，往往通过提升栅极绝缘层(GateInsulator，简称GI)的成膜质量来实现；具体地，提高栅极绝缘层制程中的工艺温度，以获得高品质的栅极绝缘层，从而使得TFT的PBTS性能提升。

然而，在实际应用中发现，栅极绝缘层的高温制程，一方面会导致能耗增大，另一方面对于一些需要低温制程的产品(例如柔性产品)无法适用。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种薄膜晶体管及其制备方法、移位寄存器和栅极驱动电路。

第一方面，本公开实施例提供了一种薄膜晶体管，包括：

至少一个有源层图形，所述有源层图形包括：第一导体化图形、第二导体化图形以及位于所述第一导体化图形和所述第二导体化图形之间的半导体图形；

栅极，位于所述有源层图形的一侧且与所述有源层图形之间绝缘；

第一极和第二极，位于所述栅极背向所述有源层图形，分别与所述第一导体化图形和所述第二导体化图形电连接；

至少一个所述有源层图形中的半导体图形配置有对应的导电屏蔽图形，所述导电屏蔽图形位于所述半导体图形背向所述栅极的一侧且与所述第一极电连接，所述导电屏蔽图形与所述半导体图形之间设置有缓冲层；

所述导电屏蔽图形在其所对应的所述半导体图形所处平面上的正投影，至少部分覆盖其所对应的所述半导体图形。

在一些实施例中，所述导电屏蔽图形在其所对应的所述半导体图形所处平面上的正投影，完全覆盖其所对应的所述半导体图形。

在一些实施例中，所述导电屏蔽图形在其所对应的所述半导体图形所处平面上的正投影，还覆盖其所对应的所述半导体图形所连接的第二导体化图形的至少部分区域。

在一些实施例中，所述导电屏蔽图形的材料为导电遮光材料。

在一些实施例中，所述导电遮光材料包括金属材料。

在一些实施例中，配置有所述导电屏蔽图形的半导体图形，其所连接的第一导体化图形与其所配置的导电屏蔽图形通过缓冲层上的过孔连接。

在一些实施例中，所述有源层图形的数量为多个，多个所述有源层图形沿第一预设方向排布；

所述栅极、所述第一极和所述第二极均沿所述第一预设方向延伸，所述第一极与多个所述有源层图形中的第一导体化图形电连接，所述第二极与多个所述有源层图形中的第二导体化图形电连接。