[发明专利]减反射膜及其制备方法和移动终端

说明书

本发明涉及一种减反射膜及其制备方法和移动终端。上述减反射膜的制备方法包括如下步骤：在基材上制备至少一个膜层单元，膜层单元包括依次层叠设置的二氧化硅层、氮化硅层和氮氧化硅层；在靶材功率为第四稳定值，氧气流量为200sccm～400sccm的条件下，在氮氧化硅层沉积二氧化硅，制备外膜层，减反射膜包括至少一层膜层单元及外膜层。采用上述方法制备得到的减反射膜的硬度达到1600HV～1800HV。

技术领域

本发明涉及膜材料领域，特别是涉及一种减反射膜及其制备方法和移动终端。

背景技术

传统的摄像头外面通常设置一块保护玻璃以保护摄像头。为了提高摄像头的成像能力及精度，保护玻璃会在内外表面镀一层减反射膜(AR膜)。目前普通AR膜采用的是SiO₂、Nb₂O₅(或Ti₃O₅)交互的叠层结构，厚度在250nm～350nm，透过率为94％～95.5％左右，维氏硬度为400HV～700HV，但普通AR膜很容易被划伤。

因此，超硬AR膜应运而生。目前超硬AR膜采用的是真空镀膜技术，在真空环境下在玻璃表面交替沉积SiO₂、Si₃N₄叠层，叠层的整体厚度300nm左右，透过率在94％左右。超硬的维氏硬度在800HV～1200HV左右，在日常使用过程中仍存在被异物划伤的情况，从而降低摄像头的使用寿命。有一些户外摄像头的保护罩为了保护镜头也会在外表面镀超硬AR膜，其同样存在容易被风沙等侵蚀的问题。

发明内容

基于此，有必要提供一种减反射膜及其制备方法，该减反射膜的硬度较高，耐候性较好，在使用过程中不易被异物划伤或风沙侵蚀。

此外，还有必要提供一种移动终端。

一种减反射膜的制备方法，包括如下步骤：

在基材上制备至少一个膜层单元，所述膜层单元包括依次层叠设置的二氧化硅层、氮化硅层和氮氧化硅层，

其中，制备所述二氧化硅层的步骤包括：将靶材功率设置为第一初始值，在基材表面沉积二氧化硅，然后将靶材功率升至第一稳定值，并在第一稳定值条件下，继续沉积二氧化硅，制备所述二氧化硅层；

制备所述氮化硅层的步骤包括：将靶材功率设置为第二初始值，在所述二氧化硅层远离所述基材的一侧沉积氮化硅，然后将靶材功率升至第二稳定值，并在第二稳定值条件下，继续沉积氮化硅，制备所述氮化硅层；

制备所述氮氧化硅层的步骤包括：将靶材功率设置为第三初始值，在所述氮化硅层远离所述基材的一侧沉积氮氧化硅，然后将靶材功率升至第三稳定值，制备所述氮氧化硅层；及

在靶材功率为第四稳定值，氧气流量为200sccm～400sccm的条件下，在所述氮氧化硅层远离所述基材的一侧沉积二氧化硅，制备外膜层，所述减反射膜包括至少一个所述膜层单元及所述外膜层。

在其中一个实施例中，所述靶材功率的初始值为0kW～5kW，所述靶材功率的稳定值为8kW～10kW，在5s～10s时间内将所述靶材功率由初始值升至稳定值，所述初始值为第一初始值、第二初始值或第三初始值，所述稳定值为第一稳定值、第二稳定值、第三稳定值或第四稳定值。

在其中一个实施例中，所述氮氧化硅层的厚度为3nm～10nm。

在其中一个实施例中，所述在基材表面沉积二氧化硅的步骤中，以硅为靶材，靶材氩气流量为100sccm～300sccm，ICP氩气流量为100sccm～300sccm，ICP氧气流量为50sccm～300sccm。

在其中一个实施例中，所述沉积氮化硅的步骤中，以硅为靶材，靶材氩气流量为100sccm～300sccm，ICP氩气流量为100sccm～300sccm，ICP氮气流量为50sccm～300sccm。