[发明专利]减反射膜及其制备方法和移动终端

权利要求书

1.一种减反射膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

在基材上制备至少一个膜层单元，所述膜层单元包括依次层叠设置的二氧化硅层、氮化硅层和氮氧化硅层，

其中，制备所述二氧化硅层的步骤包括：将靶材功率设置为第一初始值，在基材表面沉积二氧化硅，然后将靶材功率升至第一稳定值，并在第一稳定值条件下，继续沉积二氧化硅，制备所述二氧化硅层；

制备所述氮化硅层的步骤包括：将靶材功率设置为第二初始值，在所述二氧化硅层远离所述基材的一侧沉积氮化硅，然后将靶材功率升至第二稳定值，并在第二稳定值条件下，继续沉积氮化硅，制备所述氮化硅层；

制备所述氮氧化硅层的步骤包括：将靶材功率设置为第三初始值，在所述氮化硅层远离所述基材的一侧沉积氮氧化硅，然后将靶材功率升至第三稳定值，制备所述氮氧化硅层；及

在靶材功率为第四稳定值，氧气流量为200sccm～400sccm的条件下，在所述氮氧化硅层远离所述基材的一侧沉积二氧化硅，制备外膜层，所述减反射膜包括至少一个所述膜层单元及所述外膜层。

2.根据权利要求1所述的减反射膜的制备方法，其特征在于，所述靶材功率的初始值为0kW～5kW，所述靶材功率的稳定值为8kW～10kW，在5s～10s时间内将所述靶材功率由初始值升至稳定值，所述初始值为第一初始值、第二初始值或第三初始值，所述稳定值为第一稳定值、第二稳定值、第三稳定值或第四稳定值。

3.根据权利要求1所述的减反射膜的制备方法，其特征在于，所述氮氧化硅层的厚度为3nm～10nm。

4.根据权利要求1所述的减反射膜的制备方法，其特征在于，所述在基材表面沉积二氧化硅的步骤中，以硅为靶材，靶材氩气流量为100sccm～300sccm，ICP氩气流量为100sccm～300sccm，ICP氧气流量为50sccm～300sccm。

5.根据权利要求1所述的减反射膜的制备方法，其特征在于，所述沉积氮化硅的步骤中，以硅为靶材，靶材氩气流量为100sccm～300sccm，ICP氩气流量为100sccm～300sccm，ICP氮气流量为50sccm～300sccm。

6.根据权利要求1所述的减反射膜的制备方法，其特征在于，所述沉积氮氧化硅的步骤中，以硅为靶材，靶材氩气流量为100sccm～300sccm，ICP氩气流量为100sccm～300sccm，ICP氧气流量为50sccm～300sccm，ICP氮气流量为50sccm～300sccm。

7.根据权利要求1所述的减反射膜的制备方法，其特征在于，所述在所述氮氧化硅层远离所述基材的一侧沉积二氧化硅的步骤中，ICP氩气流量为180sccm～300sccm，靶材氩气流量为180sccm～300sccm。

8.根据权利要求1所述的减反射膜的制备方法，其特征在于，所述基材选自玻璃、塑料及蓝宝石中的一种。

9.一种减反射膜，其特征在于，由权利要求1～8任一项所述的减反射膜的制备方法制备得到。

10.根据权利要求9所述的减反射膜，其特征在于，在所述减反射膜中，所述膜层单元的个数为2个～5个，多个所述膜层单元依次层叠，且多个所述膜层单元层叠在所述基材和所述外膜层之间。

11.根据权利要求9所述的减反射膜，其特征在于，所述减反射膜的总厚度为250nm～800nm。