[发明专利]铌化合物和形成薄膜的方法

说明书

铌化合物和使用所述铌化合物形成薄膜的方法，所述化合物由以下通式I表示：[通式I]其中，在通式I中，R¹、R⁴、R⁵、R⁶、R⁷和R⁸各自独立地是氢原子、C1‑C6直链烷基或支链烷基、或者C3‑C6环烃基，R⁴、R⁵、R⁶、R⁷和R⁸中的至少一个是C1‑C6直链烷基或支链烷基，并且R²和R³各自独立地是氢原子、卤素原子、C1‑C6直链烷基或支链烷基、或者C3‑C6环烃基。

相关申请的交叉引用

于2019年8月6日在韩国知识产权局提交的并且标题为“Niobium Compound andMethod of Forming Thin Film”(铌化合物和形成薄膜的方法)的韩国专利申请No.10-2019-0095746通过引用整体并入本文。

技术领域

实施例涉及铌化合物和使用铌化合物形成薄膜的方法。

背景技术

随着电子技术的发展，半导体器件的规模迅速缩小，构成电子器件的图案也微型化。

发明内容

实施例可以通过提供由以下通式I表示的铌化合物来实现：

[通式I]

其中，在通式I中，R¹、R⁴、R⁵、R⁶、R⁷和R⁸各自独立地是氢原子、C1-C6直链烷基或支链烷基、或者C3-C6环烃基，R⁴、R⁵、R⁶、R⁷和R⁸中的至少一个是C1-C6直链烷基或支链烷基，并且R²和R³各自独立地是氢原子、卤素原子、C1-C6直链烷基或支链烷基、或者C3-C6环烃基。

实施例可以通过提供由以上通式I表示的铌化合物来实现，其中，在通式I中，R¹是C1-C6直链烷基或支链烷基、或者C3-C6环烃基，R⁴、R⁵、R⁶、R⁷和R⁸各自独立地是氢原子、C1-C6直链烷基或支链烷基、或者C3-C6环烃基，R²和R³各自独立地是氢原子、卤素原子、C1-C6直链烷基或支链烷基、或者C3-C6环烃基，并且当R⁴、R⁵、R⁶、R⁷和R⁸全部是甲基时，R²和R³各自独立地是氢原子、C1-C6直链烷基或支链烷基、或者C3-C6环烃基。

实施例可以通过提供由以下通式II表示的铌化合物来实现：

[通式II]

其中，在通式II中，R¹和R⁴各自独立地是C1-C6直链烷基或支链烷基，并且R²和R³各自独立地是卤素原子、或者C1-C6直链烷基或支链烷基。