[发明专利]铌化合物和形成薄膜的方法

权利要求书

1.一种铌化合物，所述铌化合物由以下通式I表示：

[通式I]

其中，在通式I中，

R¹、R⁴、R⁵、R⁶、R⁷和R⁸各自独立地是氢原子、C1-C6直链烷基或支链烷基、或者C3-C6环烃基，R⁴、R⁵、R⁶、R⁷和R⁸中的至少一个是C1-C6直链烷基或支链烷基，并且

R²和R³各自独立地是氢原子、卤素原子、C1-C6直链烷基或支链烷基、或者C3-C6环烃基。

2.根据权利要求1所述的铌化合物，其中：

R⁴、R⁵、R⁶、R⁷和R⁸中的一个是C1-C3直链烷基或C3支链烷基，并且

R⁴、R⁵、R⁶、R⁷和R⁸中的剩余那些是氢原子。

3.根据权利要求1所述的铌化合物，其中，R⁴、R⁵、R⁶、R⁷和R⁸中的至少一个是氢原子。

4.根据权利要求1所述的铌化合物，其中：

R⁴、R⁵、R⁶、R⁷和R⁸均是甲基，并且

R²和R³各自独立地是氢原子、C1-C6直链烷基或支链烷基、或者C3-C6环烃基。

5.根据权利要求1所述的铌化合物，其中，R¹是C1-C5直链烷基或支链烷基。

6.根据权利要求1所述的铌化合物，其中，R²和R³中的至少一个是卤素原子。

7.根据权利要求1所述的铌化合物，其中，R²和R³中的至少一个是C1-C3直链烷基或C3支链烷基。

8.根据权利要求1所述的铌化合物，其中：

所述铌化合物由以下通式II表示：

[通式II]

在通式II中，

R¹和R⁴各自独立地是C1-C6直链烷基或支链烷基，并且

R²和R³各自独立地是卤素原子、或者C1-C6直链烷基或支链烷基。

9.根据权利要求8所述的铌化合物，其中，R¹是C3-C5支链烷基。

10.根据权利要求8所述的铌化合物，其中，R²和R³各自独立地是卤素原子。

11.根据权利要求8所述的铌化合物，其中，R²和R³各自独立地是C1-C3直链烷基或C3支链烷基。

12.根据权利要求8所述的铌化合物，其中：

R¹是支链戊基，

R²和R³各自独立地是氯原子、C1-C3直链烷基或者C3支链烷基，并且

R⁴是C1-C3直链烷基或者C3支链烷基。