[发明专利]清洁方法和等离子体处理装置

说明书

本发明提供一种清洁方法和等离子体处理装置。清洁方法包括：用含卤素气体的等离子体除去腔室内的典型半导体材料元素组的残渣的步骤；用含烃气体的等离子体除去所述腔室内的第12族和第13族金属元素组以及第14族和第15族金属元素组的残渣的步骤；和用含氧气体的等离子体除去所述腔室内的含碳物的步骤，在用所述含卤素气体的等离子体进行除去的所述步骤之前或者之后，对用所述含烃气体的等离子体进行除去的所述步骤和用所述含氧气体的等离子体进行除去的所述步骤依次执行规定次数X(X≥1)。根据本发明，能够有效地除去腔室内的第12～第16族的元素。

技术领域

本发明涉及清洁方法和等离子体处理装置。

背景技术

例如，专利文献1提案了一种能够除去腔室11内的含Ti膜的清洁方法。在专利文献1中，一边利用含氧气体的等离子体除去附着于腔室11内的部件的含碳膜和含Ti膜中的含碳膜，一边利用含氧气体的等离子体将含Ti膜的表面改性。将含Ti膜的表面改性而得到的TiO膜利用含氟气体的等离子体除去。TiO膜被除去而露出的含Ti膜的残渣由含氯气体的等离子体从上述部件除去。

然而，附着在腔室的内壁的沉积物在除了铟等难以蚀刻的金属元素之外还含有有机物、硅材料的情况下，若不进行与各种残渣相适应的气体和清洁方法，则在腔室11内壁蓄积残渣。其结果，会发生在腔室11内产生颗粒的问题，或者会在工艺的再现性上产生问题。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2000-323841号公报。

发明内容

本发明提供一种能够有效地除去腔室内的第12～第16族的元素的清洁方法和等离子体处理装置。

依照本发明的一方式，提供一种清洁方法，其包括：用含卤素气体的等离子体除去腔室内的典型半导体材料元素组的残渣的步骤；用含烃气体的等离子体除去所述腔室内的第12族和第13族金属元素组以及第14族和第15族金属元素组的残渣的步骤；和用含氧气体的等离子体除去所述腔室内的含碳物的步骤，在用所述含卤素气体的等离子体进行除去的所述步骤之前或者之后，对用所述含烃气体的等离子体进行除去的所述步骤和用所述含氧气体的等离子体进行除去的所述步骤依次执行规定次数X(X≥1)。

依照一个方面，能够有效地除去腔室内的第12～第16族的元素。

附图说明

图1是表示一实施方式的等离子体处理装置的截面示意图。

图2是表示一实施方式的膜结构的图。

图3是表示一实施方式的产品处理工序的流程图。

图4是表示第1实施方式的清洁方法的流程图。

图5是表示周期表中的组A、组B和组C的图。

图6是表示一实施方式的组A、组B和组C的卤化物的沸点的图。

图7是表示一实施方式的组C的氢化物，组B和组C的甲基化合物的沸点的图。

图8是表示一实施方式的ITO膜的蚀刻后执行了第5清洁步骤的实验结果的图。

图9是表示一实施方式的清洁方法的效果的一例的图。

图10是表示第1实施方式的变形例的清洁方法的流程图。

图11是表示第2实施方式的清洁方法的流程图。

图12是表示第2实施方式的变形例的清洁方法的流程图。

图13是表示第3实施方式的清洁方法的流程图。

图14是表示第3实施方式的变形例的清洁方法的流程图。