[发明专利]清洁方法和等离子体处理装置

权利要求书

1.一种清洁方法，其特征在于，包括：

用含卤素气体的等离子体除去腔室内的典型半导体材料元素组的残渣的步骤；

用含烃气体的等离子体除去所述腔室内的第12族和第13族金属元素组以及第14族和第15族金属元素组的残渣的步骤；和

用含氧气体的等离子体除去所述腔室内的含碳物的步骤，

在用所述含卤素气体的等离子体进行除去的所述步骤之前或者之后，对用所述含烃气体的等离子体进行除去的所述步骤和用所述含氧气体的等离子体进行除去的所述步骤依次执行规定次数X，其中，X≥1。

2.如权利要求1所述的清洁方法，其特征在于：

具有在用所述含卤素气体的等离子体进行除去的所述步骤之后，用含氢气体的等离子体除去所述第14族和第15族金属元素组的残渣的步骤。

3.如权利要求2所述的清洁方法，其特征在于，包括：

具有在用所述含卤素气体的等离子体进行除去的所述步骤或者用所述含氢气体的等离子体进行除去的所述步骤之后，用非活性气体的等离子体除去所述腔室内的H、F、Cl、Br和I的至少任一者。

4.如权利要求1～3中任一项所述的清洁方法，其特征在于：

在对用所述含烃气体的等离子体进行除去的所述步骤和用所述含氧气体的等离子体进行除去的所述步骤依次执行规定次数Y之前或者执行之后，执行用所述含卤素气体的等离子体进行除去的所述步骤，其中，Y≥1。

5.如权利要求2或3所述的清洁方法，其特征在于：

对用所述含氢气体的等离子体进行除去的所述步骤、用所述含烃气体的等离子体进行除去的所述步骤和用所述含氧气体的等离子体进行除去的所述步骤依次执行规定次数Y之前或者执行之后，执行用所述含卤素气体的等离子体进行除去的所述步骤，其中，Y≥1。

6.一种清洁方法，其特征在于，包括：

用含烃气体的等离子体除去腔室内的第12族和第13族金属元素组以及第14族和第15族金属元素组的残渣的步骤；和

用含氧气体的等离子体除去所述腔室内的含碳物的步骤，

对用所述含烃气体的等离子体进行除去的所述步骤和用所述含氧气体的等离子体进行除去的所述步骤依次执行规定次数X，其中，X≥1。

7.一种清洁方法，其特征在于，包括：

用含卤素气体的等离子体除去腔室内的典型半导体材料元素组的残渣的步骤；和

用含氢气体的等离子体除去所述腔室内的第14族和第15族金属元素组的残渣的步骤，

对用所述含卤素气体的等离子体进行除去的所述步骤和用所述含氢气体的等离子体进行除去的所述步骤依次进行规定次数X，其中，X≥1。

8.如权利要求1～6中任一项所述的清洁方法，其特征在于：

所述含烃气体是CH₄、C₂H₆、C₃H₈、C₂H₄、C₂H₂、C₂H₆和C₂H₄的至少任一者。

9.如权利要求1～5、7中任一项所述的清洁方法，其特征在于：

所述含卤素气体是NF₃、SF₆、CF₄、Cl₂、BCl₃、HBr和HI的至少任一者。

10.一种等离子体处理装置，其具有用等离子体进行清洁的腔室和控制部，所述等离子体处理装置的特征在于：

所述控制部进行控制，以执行如下步骤：

用含卤素气体的等离子体除去腔室内的典型半导体材料元素组的残渣的步骤；

用含烃气体的等离子体除去所述腔室内的第12族和第13族金属元素组以及第14族和第15族金属元素组的残渣的步骤；和

用含氧气体的等离子体除去所述腔室内的含碳物的步骤，

在用所述含卤素气体的等离子体进行除去的所述步骤之前或者之后，对用所述含烃气体的等离子体进行除去的所述步骤和用所述含氧气体的等离子体进行除去的所述步骤依次执行规定次数X，其中，X≥1。