[发明专利]一种霍尔芯片老化测试装置及测试方法在审

专利信息
申请号: 202010581126.8 申请日: 2020-06-23
公开(公告)号: CN111665433A 公开(公告)日: 2020-09-15
发明(设计)人: 张文伟;宋瑞潮 申请(专利权)人: 西安中科阿尔法电子科技有限公司
主分类号: G01R31/28 分类号: G01R31/28;G01R33/07;G01R35/00
代理公司: 西安弘理专利事务所 61214 代理人: 燕肇琪
地址: 710100 陕西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 霍尔 芯片 老化 测试 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种霍尔芯片老化测试装置,其特征在于,包括底座(1),所述底座(1)上固定有一个或多个老化测试体;所述老化测试体包括同轴设置且可拆卸的第一线圈架(4)和第二线圈架(5),所述第一线圈架(4)上缠绕有第一线圈(3),所述第二线圈架(5)中缠绕有第二线圈(6),所述第一线圈(3)与第二线圈(6)的引线焊接成为一条线缠绕的线圈,所述第一线圈(3)与第二线圈(6)的绕向相同,所述第一线圈架(4)和第二线圈架(5)之间放置有PCB引脚放大板(9);

所述每个老化测试体的线圈均与一根集成总线(11)连接,所述每个老化测试体的PCB引脚放大板(9)上的放大端均通过另一根集成总线(11)引出。

2.如权利要求1所述的一种霍尔芯片老化测试装置,其特征在于,所述第一线圈架(4)固定在底座(1)上,所述底座(1)上还固定有第一固定板(2),所述第一固定板(2)的一端端面固定在底座(1)上靠近第一线圈架(4)处,所述第一固定板(2)的另一端与第二固定板(7)的另一端旋转连接,所述第二线圈架(5)固定在第二固定板(7)的板面上,第二固定板(7)能够通过第二固定板(7)在第一固定板(2)转动实现与第一固定板(2)的同轴放置。

3.如权利要求1所述的一种霍尔芯片老化测试装置,其特征在于,所述第一线圈架(4)和第二线圈架(5)均为铝制材料制作,线圈为耐高温漆包铜线。

4.如权利要求1所述的一种霍尔芯片老化测试装置,其特征在于,所述第一线圈架(4)与第二线圈架(5)接触面的端面上开有凹槽(8),所述PCB引脚放大板(9)放置在凹槽(8)内。

5.如权利要求1所述的一种霍尔芯片老化测试装置,其特征在于,所述PCB引脚放大板(9)上还开有固定孔(9-1),所述凹槽内还设置有和固定孔(9-1)相配合的凸台。

6.如权利要求1所述的一种霍尔芯片老化测试装置,其特征在于,还包括芯片老化测试座(10),所述芯片老化测试座(10)的引脚与PCB引脚放大板(9)的引脚端焊接。

7.一种霍尔芯片老化测试方法,其特征在于,具体步骤为:

步骤1,将高斯计探头放置于第一线圈架(4)和第二线圈架(5)之间,给线圈通入电流,通过电流变化得到磁场与电流的系数k0

步骤2,将高斯计探头取出,将霍尔芯片通过老化座(11)与引脚与PCB引脚放大板(9)连接或者直接或PCB引脚放大板(9)封装连接后将PCB引脚放大板(9)放入凹槽(8)中;将测试设备连接至两根集成总线(11)之间;

步骤3,逐渐增加或减小电流值,根据系数k0和测设设备获得的数据即可计算出霍尔芯片的灵敏度;

步骤4,可将一种霍尔芯片老化测试装置放入高低温湿度箱,在温湿度箱上设置不同的温度点或湿度点,等到温度或湿度达到设定值后,便可以再次测试霍尔芯片的参数,当温度或湿度达到设定值后,测试方法同步骤3。

8.如权利要求7所述的一种霍尔芯片老化测试方法,其特征在于,所述步骤1具体的为:

从所述第一线圈架(4)和第二线圈架(5)之间将PCB引脚放大板(9)与芯片老化测试座(10)拿出,将高斯计探头放置于第一线圈架(4)和第二线圈架(5)之间,给线圈通入电流,调节电流大小,得到不通电流下磁场的大小,进而得到电流与磁场的线性关系,计算出磁场与电流的系数k0

其中y0是磁场,x0是电流,k0是电流与磁场的系数,单位为Gs/A。

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