[发明专利]基板处理装置

说明书

本发明提供一种基板处理装置，其利用超临界状态的处理流体处理基板的表面，保护基板不受由流路内的处理流体的局部气化引起的压力变动的影响。在利用超临界状态的处理流体处理基板(S)的表面的基板处理装置(1)中，包括：腔室框体(10)，在内部设置有能够收容基板的处理空间(SP)、以及从外部接受处理流体并将处理流体引导到处理空间的流路(17)；以及流体供给部(57)，将处理流体压送到流路中，且在流路中设置有多个使处理流体的流通方向变化的弯曲部。

技术领域

本发明涉及一种利用超临界状态(supercritical state)的处理流体处理基板的表面的基板处理装置。

背景技术

在半导体基板、显示装置用玻璃基板等各种基板的处理工序中，包括利用各种处理流体处理基板的表面的工序。一直以来广泛实施使用药液及淋洗液等液体作为处理流体的处理，但近年来使用超临界流体的处理也得到了实用化。特别是在表面形成有微细图案的基板的处理中，表面张力比液体低的超临界流体进入至图案的间隙的深处，所以能够有效率地进行处理。另外，还可降低干燥时由表面张力引起的图案倒塌的发生风险。

例如在日本专利特开2018-082043号公报(专利文献1)中记载了使用超临界流体进行基板的干燥处理的基板处理装置。在所述装置中，两个板状构件相向配置，其间隙成为处理空间。然后，从处理空间的一个端部搬入载置在薄板状的保持板上的晶片(基板)，从另一个端部导入超临界状态的二氧化碳。

发明内容

[发明所要解决的问题]

向处理空间供给超临界状态的处理流体必须在其整条供给路径上维持规定温度及压力环境，因此在实用性方面有时未必可以说是最好的。在实际的处理中，将气状或液状的处理流体导入到处理腔室内，在处理腔室内创造规定的温度及压力环境。由此，成为超临界状态的处理流体充满处理腔室内。

特别是在处理流体以液状压送的情况下，例如由于流路中的压力损失的变动，有时液体的一部分会气化。由此，流体急剧膨胀，从而流路内的压力有时会大幅变动。此种压力变动传递到处理空间内的基板时，会对基板造成损伤。特别是在具有微细图案的基板中，可能产生图案倒塌那样的严重损伤。然而，所述现有技术没有考虑这一点。

[解决问题的技术手段]

本发明是鉴于所述课题而完成，其目的在于提供一种在利用超临界状态的处理流体处理基板的表面的基板处理装置中，能够保护基板不受流路内的处理流体的局部气化引起的压力变动的影响的技术。

关于本发明的一个方式，在利用超临界状态的处理流体对基板的表面进行处理的基板处理装置中，为了实现所述目的而具备：腔室框体，在内部设置有能够收容所述基板的处理空间、以及从外部接受所述处理流体并将其引导至所述处理空间的流路；以及流体供给部，将所述处理流体压送至所述流路，且在所述流路中设置有多个使所述处理流体的流通方向变化的弯曲部。

在如此构成的发明中，在至供给到腔室框体内的处理流体到达处理空间为止的流路中设有多个弯曲部。在所述弯曲部，压力损失比流路的其他部分大，容易引起处理流体的气化。在具有多个弯曲部的流路中，在处理流体的流通方向上越是上游侧的弯曲部越容易引起气化。因而，通过在流路中设置多个弯曲部，能够降低更下游侧的气化的发生概率。另外，即使在上游侧产生由气化、膨胀引起的压力变动，由于在下游侧的流路中存在压力损失高的弯曲部，因此也抑制压力变动进一步向下游侧传播。由此，能够抑制压力变动的影响波及基板，从而避免对基板的损伤。

[发明的效果]

如上所述，在本发明中，在导入至腔室框体并直至处理空间的处理流体的流路上配置有多个压力损失大的弯曲部。由此，能够使在容易气化的状态下通过流路的处理流体在早期阶段发生气化，并且能够抑制由此引起的压力变动波及到基板。如此，保护基板不受流路内的处理流体的局部气化引起的压力变动的影响。

附图说明