[发明专利]基板处理装置

权利要求书

1.一种基板处理装置，利用超临界状态的处理流体处理基板的表面，且所述基板处理装置包括：

腔室框体，在内部设置有能够收容所述基板的处理空间、以及从外部接受所述处理流体并将其引导至所述处理空间的流路；以及

流体供给部，将所述处理流体压送至所述流路，且

在所述流路中设置有多个使所述处理流体的流通方向变化的弯曲部。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中在所述流路中设置有从所述流通方向的上游侧观察而流路剖面积扩大的缓冲空间，且在比所述缓冲空间更靠所述流通方向的下游侧处设置有至少一个所述弯曲部，

所述流路具有连接所述流通方向上的最下游的所述弯曲部与所述处理空间的输出流路，

在所述缓冲空间与所述输出流路之间，所述处理流体的流通方向发生变化，

所述输出流路以与所述基板的表面平行的方向为长边方向而扁平且在所述流通方向上具有固定的剖面形状，并且经由面向所述处理空间在所述长边方向上延伸的呈狭缝状开口的排出口而连接于所述处理空间。

3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中所述长边方向上的所述排出口的开口的大小比所述基板的直径大。

4.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中所述排出口的开口形状及开口尺寸与所述输出流路的剖面的形状及尺寸相同。

5.根据权利要求2至4中任一项所述的基板处理装置，其中所述腔室框体具有第一构件、第二构件及第三构件，

所述第一构件与所述第二构件在上下方向上结合，在它们之间形成所述处理空间，所述第三构件结合在所述第一构件与所述第二构件的结合体的侧方，在它们之间形成所述输出流路。

6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中在所述第二构件的上表面设有与所述第一构件的下表面抵接的抵接面、比所述抵接面更向下方凹陷的凹部及阶差部，所述阶差部与所述凹部邻接并且上表面位于比所述凹部的上表面更靠上方处，所述第一构件的下表面中的与所述阶差部相向的部位构成所述输出流路的上表面。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置，其还具备支撑托盘，其中所述支撑托盘以水平姿势支撑所述基板并能够收容在所述处理空间中，且

在所述支撑托盘的上表面形成比所述基板的平面尺寸大的凹口，且能够将所述基板收容在所述凹口内。

8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中从所述抵接面观察的所述凹部的上表面的深度大于所述支撑托盘的上下方向的厚度。

9.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置，其中在所述弯曲部，所述流通方向变化90度以上。

10.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中所述流路包括输入流路，所述输入流路面向所述缓冲空间开口并使所述处理流体流入所述缓冲空间，且

所述处理流体的流通方向在所述输入流路与所述缓冲空间之间发生变化。

11.根据权利要求1至4、10中任一项所述的基板处理装置，其中在所述处理空间中，所述基板被支撑为水平姿势，所述流路在所述基板的侧方面向所述处理空间开口。

12.根据权利要求11所述的基板处理装置，其中从所述流路流入至所述处理空间的所述处理流体的流通方向为水平方向。

13.根据权利要求1至4、10中任一项所述的基板处理装置，其还包括：

配管，连接所述流体供给部与所述腔室框体；以及

阀，介插于所述配管来控制所述配管中的所述处理流体的流通。